NXP Semiconductors
PMBT3906
PNP switching transistor
600
h
FE
(1)
mhc459
−250
I
C
(mA)
−200
006aab845
I
B
(mA) =
−1.5
−1.35
−1.2
−1.05
−0.75
400
−150
−0.9
−0.6
(2)
−100
200
(3)
−0.45
−0.3
−0.15
−50
0
−10
−1
−1
−10
−10
2
I
C
(mA)
−10
3
0
0
−2
−4
−6
−8
−10
V
CE
(V)
V
CE
=
−1
V
(1) T
amb
= 150
°C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
=
−55 °C
T
amb
= 25
°C
Fig 1.
DC current gain as a function of collector
current; typical values
mhc461
Fig 2.
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
mhc462
−1200
V
BE
(mV)
−1000
(1)
−1200
V
BEsat
(mV)
−1000
(1)
−800
(2)
−800
(2)
−600
(3)
−600
(3)
−400
−400
−200
−10
−1
−1
−10
−10
2
I
C
(mA)
−10
3
−200
−10
−1
−1
−10
−10
2
I
C
(mA)
−10
3
V
CE
=
−1
V
(1) T
amb
=
−55 °C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
= 150
°C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
=
−55 °C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
= 150
°C
Fig 3.
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values
Fig 4.
Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
PMBT3906_6
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
© NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 2 March 2010
4 of 11
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
