NXP Semiconductors
PBSS2515E
15 V, 0.5 A NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
800
h
FE
600
(1)
006aaa364
1.2
I
C
(A)
0.8
006aaa370
I
B
= 5.0 mA
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
(3)
(2)
400
0.4
1.0
0.5
200
0
10
−1
1
10
10
2
I
C
(mA)
10
3
0
0
1
2
3
4
V
CE
(V)
5
V
CE
= 2 V
(1) T
amb
= 100
°C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
=
−55 °C
T
amb
= 25
°C
Fig 4.
DC current gain as a function of collector
current; typical values
006aaa365
Fig 5.
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
1.3
006aaa368
1100
V
BE
(mV)
900
(1)
V
BEsat
(V)
0.9
700
(2)
(1)
(2)
500
(3)
(3)
0.5
300
100
10
−1
1
10
10
2
I
C
(mA)
10
3
0.1
10
−1
1
10
10
2
I
C
(mA)
10
3
V
CE
= 2 V
(1) T
amb
=
−55 °C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
= 100
°C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
=
−55 °C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
= 100
°C
Fig 6.
Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 7.
Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
PBSS2515E_2
© NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 21 April 2009
6 of 12
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
