NXP Semiconductors
BC639; BCP56; BCX56
80 V, 1 A NPN medium power transistors
300
h
FE
(1)
006aaa080
1.6
I
B
(mA) = 50
I
C
(A)
1.2
45
40
35
30
006aaa084
200
25
20
15
(2)
0.8
10
5
100
(3)
0.4
0
10
−1
0
1
10
10
2
10
3
10
4
I
C
(mA)
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
CE
(V)
V
CE
= 2 V
(1) T
amb
= 150
°C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
=
−55 °C
T
amb
= 25
°C
Fig 10. DC current gain as a function of collector
current; typical values
1.2
V
BE
(V)
0.8
(1)
Fig 11. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
1
006aaa082
006aaa081
V
CEsat
(V)
(2)
10
−1
0.4
(3)
(1)
(2)
(3)
0
10
−1
1
10
10
2
10
3
10
4
10
−2
10
−1
1
10
10
2
I
C
(mA)
10
3
10
4
I
C
(mA)
V
CE
= 2 V
(1) T
amb
=
−55 °C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
= 150
°C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150
°C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
=
−55 °C
Fig 12. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 13. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
BC639_BCP56_BCX56_8
© NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 08 — 22 June 2007
10 of 15
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
