NXP Semiconductors
BC640; BCP53; BCX53
80 V, 1 A PNP medium power transistors
300
(1)
006aaa226
−1.6
I
C
(A)
−1.2
006aaa230
I
B
(mA) =
−45 −40.5 −36
−31.5
−27
−22.5
−18
−13.5
h
FE
200
(2)
−0.8
−9
100
(3)
−4.5
−0.4
0
−10
−1
−1
−10
−10
2
−10
3
−10
4
I
C
(mA)
0
0
−0.4
−0.8
−1.2
−1.6
−2.0
V
CE
(V)
V
CE
=
−2
V
(1) T
amb
= 150
°C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
=
−55 °C
T
amb
= 25
°C
Fig 10. DC current gain as a function of collector
current; typical values
−1200
V
BE
(mV)
−1000
(1)
Fig 11. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
−10
3
006aaa228
006aaa227
V
CEsat
(mV)
−800
(2)
−10
2
−600
(3)
(2)
(1)
−400
(3)
−200
−10
−1
−1
−10
−10
2
−10
3
−10
4
I
C
(mA)
−10
−10
−1
−1
−10
−10
2
−10
3
−10
4
I
C
(mA)
V
CE
=
−2
V
(1) T
amb
=
−55 °C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
= 150
°C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150
°C
(2) T
amb
= 25
°C
(3) T
amb
=
−55 °C
Fig 12. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 13. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
BC640_BCP53_BCX53_8
© NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 08 — 22 February 2008
10 of 15
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
