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ATC100B0R3JT500XT 参数 Datasheet PDF下载

ATC100B0R3JT500XT图片预览
型号: ATC100B0R3JT500XT
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内容描述: [RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers]
分类和应用:
文件页数/大小: 27 页 / 1718 K
品牌: NXP [ NXP ]
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Table 7. Common Source S--Parameters (V = 28 V, I  
= 90 mA, I  
= 420 mA, T = 25°C, 50 Ohm System) (continued)  
DQ2 A  
DD  
DQ1  
S
S
S
S
22  
11  
21  
12  
f
|S  
|
∠ φ  
|S  
|
∠ φ  
|S  
|
∠ φ  
|S |  
22  
∠ φ  
155  
154  
153  
151  
150  
148  
146  
145  
144  
144  
144  
MHz  
11  
21  
12  
3500  
3550  
3600  
3650  
3700  
3750  
3800  
3850  
3900  
3950  
4000  
0.759  
0.765  
0.770  
0.774  
0.780  
0.795  
0.810  
0.821  
0.839  
0.855  
0.862  
--140  
--144  
--148  
--153  
--159  
--164  
--170  
--175  
--178  
179  
0.486  
0.440  
0.401  
0.370  
0.338  
0.306  
0.273  
0.239  
0.207  
0.178  
0.156  
--56.1  
--62.4  
--69.7  
--77.4  
--85.1  
--93.2  
--101  
--107  
-- 111  
0.004  
0.004  
0.004  
0.005  
0.006  
0.006  
0.008  
0.008  
0.008  
0.008  
0.008  
--81.1  
-- 8 2  
0.954  
0.946  
0.941  
0.941  
0.940  
0.933  
0.928  
0.934  
0.936  
0.927  
0.935  
--85.9  
--96.4  
--94.9  
--99.3  
-- 11 0  
-- 11 3  
-- 11 2  
-- 11 7  
--123  
-- 11 4  
-- 11 6  
176  
MW7IC2220NR1 MW7IC2220GNR1 MW7IC2220NBR1  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor  
11  
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