描述
M25PE40
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描述
该M25PE40是4兆位(达512Kbit × 8位)串行分页闪存由高访问
高速SPI兼容总线。
该存储器可以一次写入或编程为1〜 256个字节,使用页写或
页面编程指令。页写指令包括一个集成的页擦除的
周期后跟一个页编程周期。
该存储器被组织成8个扇区被进一步分成每16分部门
( 128次部门计) 。每个扇区包含256个页面,每个界别中含有16
页。每个页面为256字节宽。因此,整个存储器可以被看作是由
2048页,或524,288个字节。
该存储器可以一次擦除一个页面,使用页面擦除指令,一个分部门
同时,利用界别分组擦除指令,在时间方面,使用的扇区擦除
指令或者作为一个整体,采用批量擦除(BE)的指令。
该内存可以写由硬件或软件使用挥发性混合保护
和非易失性的保护功能,这取决于应用需要。保护
粒度为64千字节(扇区的粒度) 。
重要注意事项
此数据表详细描述了设备的功能性,基于先前T7X过程或
基于当前T9HX过程(购自2007年7月)。递件的操作
与75 MHz的最大时钟速率开始从2008年的第8周。
有哪些变化?
在T9HX过程中的M25PE40提供以下附加功能:
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整个存储器阵列被划分为4 KB的界别分组
五个新的指令:写状态寄存器( WRSR ) ,写入锁定寄存器( WRLR )
读锁定寄存器( RDLR ) , 4 KB的界别分组擦除( SSE)和批量擦除( BE )
状态寄存器: 4位可写( BP0 , BP1 , BP2 , SRWD )
WP输入(引脚3) :写保护范围被扩展,视的值
BP0 , BP1 , BP2 , SRWD位。在WP写保护是一样的,如果位( BP2 ,
BP1,BP0 )被设置为( 0,0, 1)
更小的芯片尺寸使组装成一个SO8N封装。
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