M25P80
操作特性
4.4
有功功率，无备用电源和深度掉电模式
当片选（S ）为低电平时，器件处于启用状态，在有源模式。
当片选（S ）为高电平时，设备被禁用，但可以留在有功功率
模式，直到所有的内部时钟周期完成（编程，擦除，写状态寄存器） 。该
然后设备进入到备用电源模式。该器件消耗下降至我
CC1
.
深度掉电模式时输入特定的指令（在进入深度
省电模式（ DP）的指令）被执行。该器件消耗进一步下降到
I
CC2
。该设备一直处于此模式，直到另一个特定的指令（发布来自
深度掉电模式和读取电子签名（ RES ）指令）执行。
所有其它指令被忽略，而该设备在深度掉电模式。这
可以作为一个额外的软件保护机制，当设备在处于非活动
使用，以保护器件免受意外写操作，编程或擦除指令。
4.5
状态寄存器
状态寄存器包含了许多可以读取或设置状态和控制位（如
合适）的具体说明。对于状态寄存器位的详细说明，
SEE
4.6
保护模式
其中，非易失性存储器设备的使用环境中可以是非常嘈杂。没有SPI
设备可以在过量的噪声的情况下正确地操作。为了帮助解决这个问题，在
M25P80拥有以下数据保护机制：
●
●
●
上电复位和一个内部定时器（T
PUW
）可以提供保护，防止
无意中的改变而电源是操作规范之外。
编程，擦除和写状态寄存器指令进行检查，他们组成
若干个时钟脉冲的那个是8的倍数，它们被接受之前
执行。
修改数据的所有指令之前必须有一个写使能（ WREN ）
指令设置写使能锁存器（ WEL ）位。该位被返回到它的复位状态
由以下事件：
–
上电
–
–
–
–
–
写禁止（ WRDI ）指令完成
写状态寄存器（ WRSR ）指令完成
页编程（ PP ）指令完成
扇区擦除（ SE ）指令完成
批量擦除（ BE ）指令完成
●
●
●
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位可以让内存的一部分被配置为
只读的。这是保护模式（ SPM ）软件。
写保护（ W）信号使数据块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位和状态
寄存器写禁止（ SRWD ）位进行保护。这是受保护的硬件
模式（ HPM ） 。
除了低功耗的特征，深掉电模式提供
防止意外写，计划额外的软件保护和擦除指令，所有
指令被忽略，除了一个特定的指令（发布从深度
断电指令）。
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NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
