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M25P40-VMN6TPB 参数 Datasheet PDF下载

M25P40-VMN6TPB图片预览
型号: M25P40-VMN6TPB
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内容描述: [Flash, 512KX8, PDSO8, 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 53 页 / 1017 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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DC和AC参数
表19 。
M25P40
AC特性( 25 MHz工作频率,设备3级,V
CC
分= 2.7 V)
在规定的试验条件
符号
f
C
f
R
t
CH(1)
t
CL(1)
t
CLCH(2)
t
CHCL(2)
t
SLCH
t
CHSL
t
DVCH
t
CHDX
t
CHSH
t
SHCH
t
SHSL
t
SHQZ(2)
t
CLQV
t
CLQX
t
HLCH
t
CHHH
t
HHCH
t
CHHL
t
HHQX(2)
t
HLQZ(2)
t
WHSL(4)
t
SHWL(4)
t
DP(2)
t
RES1(2)
t
RES2(2)
Alt键。
f
C
参数
时钟频率为以下
说明: FAST_READ , PP , SE , BE , DP ,
RES ,雷恩, WRDI , RDSR , WRSR
时钟频率读取指令
分钟。
特区
特区
18
18
0.1
0.1
10
10
5
5
10
10
100
典型值。
马克斯。
25
20
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
V / ns的
V / ns的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CLH
t
CLL
时钟高电平时间
时钟低电平时间
时钟上升时间
(3)
(峰到峰)
时钟下降时间
(3)
(峰到峰)
t
CSS
t
DSU
t
DH
的积极建立时间(相对于C)
S不主动保持时间(相对于C)
数据建立时间
数据保持时间
的积极保持时间(相对于C)
S不主动建立时间(相对于C)
t
CSH
t
DIS
t
V
t
HO
S取消时间
输出禁止时间
时钟低到输出有效
输出保持时间
HOLD建立时间(相对于C)
HOLD保持时间(相对于C)
HOLD建立时间(相对于C)
HOLD保持时间(相对于C)
15
15
0
10
10
10
10
15
20
20
100
3
3或30
(5)
1.8或30
(5)
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
μs
μs
t
LZ
t
HZ
持有至输出低Z
持有至输出高阻
写保护设置时间
写保护保持时间
S增强到深度掉电模式
S增强待机功耗模式,不
电子签名阅读
S增强待机功耗模式
电子签名阅读
1. t
CH
+ t
CL
必须大于或等于1 /女
C
2.价值由特性保证,而不是100 %生产测试。
3.表示为转换速率。
4.仅适用作为用于当SRWD被设定为1 WRSR指令的约束。
5.这是30微秒的“ X”工艺技术生产设备( 3级设备仅生产使用
的“X”的工艺技术) 。如何找到的设备上的处理信详细标记是在给定的
应用笔记AN1995 。
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