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    M25P40-VMN6TPB 参数 Datasheet PDF下载

    M25P40-VMN6TPB图片预览
    型号： M25P40-VMN6TPB
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Flash, 512KX8, PDSO8, 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOP-8]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
    文件页数/大小： 53 页 / 1017 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号M25P40-VMN6TPB的Datasheet PDF文件第16页浏览型号M25P40-VMN6TPB的Datasheet PDF文件第17页浏览型号M25P40-VMN6TPB的Datasheet PDF文件第18页浏览型号M25P40-VMN6TPB的Datasheet PDF文件第19页浏览型号M25P40-VMN6TPB的Datasheet PDF文件第21页浏览型号M25P40-VMN6TPB的Datasheet PDF文件第22页浏览型号M25P40-VMN6TPB的Datasheet PDF文件第23页浏览型号M25P40-VMN6TPB的Datasheet PDF文件第24页  
    说明
    M25P40
    6.2
    写禁止（ WRDI ）
    写禁止（ WRDI ）指令（图
    8)
    复位写使能锁存器（ WEL ）位。
    写禁止（ WRDI ）指令是由驱动芯片选择（S ）低，送进入
    指令代码，然后驱动芯片选择（S ）高。
    写使能锁存器（ WEL ）位在下列条件下复位：
    ●
    ●
    ●
    ●
    ●
    ●
    上电
    写禁止（ WRDI ）指令完成
    写状态寄存器（ WRSR ）指令完成
    页编程（ PP ）指令完成
    扇区擦除（ SE ）指令完成
    批量擦除（ BE ）指令完成
    写禁止（ WRDI ）指令序列
    S
    0
    C
    指令
    D
    高阻抗
    Q
    AI03750D
    网络连接gure 8 。
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