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    M24512-DFMC6TG 参数 Datasheet PDF下载

    M24512-DFMC6TG图片预览
    型号： M24512-DFMC6TG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128兆位，低电压，串行闪存与54 MHz的SPI总线接口 [128-Mbit, low-voltage, serial flash memory with 54-MHz SPI bus interface]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 47 页 / 905 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号M24512-DFMC6TG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M24512-DFMC6TG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M24512-DFMC6TG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M24512-DFMC6TG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M24512-DFMC6TG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M24512-DFMC6TG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M24512-DFMC6TG的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M24512-DFMC6TG的Datasheet PDF文件第10页  
    描述
    M25P128
    1
    描述
    该M25P128是128兆位（ 16兆× 8 ）串行闪存，具有先进的写
    保护机制和访问由一个高速SPI兼容总线，它允许
    时钟频率运行在高达54 MHz的
    (1)
    .
    内存可以被编程为1〜256个字节的时间，使用的页编程
    指令。
    该存储器分为64个扇区，每个都包含1024页。每一页是256
    宽字节。因此，整个存储器可以被看作是由65536页，或
    16777216字节。
    增强快速的程序/擦除模式，可加快工厂运营
    环境。该器件进入此模式时的V
    PPH
    电压被施加到写入
    保护/增强程序的电源电压引脚（W / V
    PP
    ).
    整个存储器可使用批量擦除指令，或扇区在一个时间被删除，
    使用扇区擦除指令。
    为了满足环保要求，恒忆提供这些设备中无铅
    和RoHS兼容封装。
    注意：
    重要提示：本数据手册详细介绍了M25P128设备的功能的基础上，
    前面的130纳米的MLC过程或基于当前为65nm的SLC过程，确定了
    进程标识数字“A”的标识设备和工艺的信"B"的一部分
    号。新器件向下兼容旧的兼容。
    图1 。
    逻辑图
    VCC
    D
    C
    S
    W / V
    PP
    HOLD
    M25P128
    Q
    VSS
    AI11313b
    1. 54 MHz的操作仅适用于65纳米制程技术的设备，这是由程序确定
    数字标识“A”的标识设备和工艺的信"B"在器件型号。
    6/47

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