恒忆™无线闪存（ W18 ）
2.0
功能概述
本节提供的W18设备的功能和体系结构的概述。
该W18设备提供同时读 - 写（ RWW）和读白擦除（ RWE ）
采用高性能的同步和异步读取能力上的包 -
兼容的密度与一个16位数据总线。个别地擦除存储器块
最佳尺寸为代码和数据的存储。 8个4千字参数块位于
在顶部或存储器映射的底部的参数分区。的其余部分
所述存储器阵列被划分为32千字主块。
为W18设备的内存架构由多个4 - Mbit的分区中，
这取决于器件密度确切的数字。通过将存储器阵列进
分区，编程或擦除操作可以在读同时发生
操作。突发读取可以遍历分区边界，但用户应用程序代码
负责确保它们不延伸到一个分区是主动
编程或擦除。虽然每个分区都有突发的读，写和擦除
能力，同时操作被限制在写或擦除在一个分区中，而
其他分区处于读模式。
增强擦除挂起功能，进一步增强了这个RWW能力
装置。擦除可暂停执行程序或在任何读取操作
块，不同之处在于它是擦除暂停。嵌套在程序运行
暂停擦除随后可以暂停读取另一个存储位置。
经过设备上电或复位后， W18的设备默认为异步页模式
读取配置。向设备写入数据的读取配置寄存器（ RCR ）使
同步突发模式读操作。在同步模式中，在CLK输入
递增一个内部突发地址发生器。 CLK也将同步闪光
存储器与每个主机的CPU ，并输出数据，或者在每一个其它的，有效的CLK
初始延迟后循环。可编程等待输出信号到CPU时，
从闪速存储器设备的数据已准备好。
除了它的改进的架构和接口，该W18器件集成
增强工厂编程（ EFP ） ，该功能可实现快速编程和
低功耗设计。该EFP功能提供了最快的当前可用的程序
性能，这可以增加工厂的生产量。
该器件支持读取操作，在1.8 V和1.8擦除和编程操作
V或12 V.使用1.8 V选项， VCC和VPP可以连在一起，一个简单的，超
低功耗设计。除了电压灵活性，专用VPP的输入提供
完整的数据保护时， V
PP
≤
V
PPLK
.
此设备（130纳米）允许在比最小V电压下的I / O操作
CCQ
of
1.7 V.这个扩展V
CCQ
范围， 1.35 V - 1.8 V ，允许更大的系统设计
灵活性。
128位保护寄存器增强了用户实施新的安全功能
技术和数据保护方案。唯一的闪存设备识别和fraud- ，
cloning-或内容 - 保护方案可通过出厂的组合
程序和用户的OTP数据单元。零延迟锁定/解锁任何内存
块，提供即时且完整的保护关键的系统代码和数据。一
额外的块锁断功能提供了硬件保障，其中软件
单独命令不能改变块的保护状态。
该命令的用户界面（ CUI）是系统处理器的链接，内置闪存
存储器操作。写到崔有效的命令序列启动设备写入
状态机（ WSM）的操作，自动执行的算法，时序，
2007年11月
订单号： 290701-18
数据表
9
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
