恒忆™无线闪存（ W18 ）
数据表
产品特点
高性能的同时读 - 写/擦除
- 突发频率为66兆赫
（零等待状态）
- 60 ns的初始访问读取速度
- 11 ns的连拍模式读取速度
- 读20 ns的页模式速度
- 4-， 8-，16- ，并且连续字突发
读取模式
- 突发和页面模式读取的所有块，
在所有的分区边界
- 突发挂起功能
- 增强的工厂编程在3.1微秒/
字
安全
- 128位OTP保护寄存器：
64个不同的预编程的位+
64用户可编程位
- 绝对的写保护与V
PP
在地面
- 个人和瞬时块锁定/
与锁断功能解锁
质量和可靠性
- 温度范围： -40 ° C至+85°C
- 每座10万擦除周期
- 90纳米ETOX ™ IX过程
- 130纳米ETOX ™第八流程
架构
- 多4兆位分区
- 双操作： RWW或RWE
- 参数块大小= 4 - K字
- 主块大小= 32 ， K字
- 顶部或底部的设备参数
•16位
WIDE
数据总线
软件
- 5微秒（典型值）编程和擦除挂起
等待时间
- 闪存数据集成（FDI ）和通用
闪存接口（ CFI ）兼容
- 可编程等待信号极性
包装和电源
- 90纳米： 32和64兆位的VF BGA
- 130纳米： 32-，64-和128兆位的VF BGA
- 130纳米： 128兆位的QUAD +封装
- 56有源矩阵球， 0.75毫米球间距
— V
CC
= 1.70 V至1.95 V
— V
CCQ
（ 90纳米） = 1.7 V至1.95 V
— V
CCQ
（ 130纳米） = 1.7 V至2.24 V和1.35 V
1.80 V
— V
CCQ
（ 130纳米）= 1.35 V至2.24 V
- 待机电流（ 130纳米） ： 8 μA （典型值）。
- 读电流： 8毫安（ 4字突发，典型值）。
订单号： 290701-18
2007年11月
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
