恒忆™的StrataFlash
®
蜂窝存储器（ M18 ）
表2：
缩略语表的
意
EPROM隧道氧化
恒忆™闪存数据集成
读取配置寄存器（闪存）
留作将来使用
堆叠芯片级封装
缩写
ETOX
外商直接投资
RCR
俄罗斯足协
SCSP
1.4
表3：
约定
中文数据手册Datasheet约定
意
方括号用于指定组成员资格或定义的一组信号与
类似的功能，如A [21： 1] 。
当提及到的信号或数据包的连接的名字，所用的符号为VCC 。当
参考电压电平，所用的符号是下标如V
CC
.
这个术语可以互换使用本文通篇表示任一特定的模具中，或
都死在包中。
这是用来指一个以上的芯片使能或输出使能的方法。当每个是
称为单独地，基准为F1 - CE＃和F1- OE＃ （对于模具＃1） ，和F 2 -CE ＃和F2-
OE ＃ （用于模具＃ 2 ） 。
当引用闪存信号，使用的符号是F - VCC或FV
CC,
分别。当
所指的是PSRAM信号或定时，符号的前缀是“P-” （例如， P-
VCC ，P -V
CC
).
当引用SRAM信号或定时，符号的前缀是“ S-” （例如，S
VCC或S-V
CC
).
P- VCC和S -VCC为RFU对于堆叠的组合不包括PSRAM或SRAM 。
用于识别的RAM的OE ＃ ， LB ＃ ， UB ＃ ， WE＃信号，并且通常是两个或两个之间共享
更多的内存芯片。 R- OE ＃ ， R- LB ＃ ， R- UB ＃和R- WE＃为RFU堆叠组合不
包括： PSRAM和SRAM 。
表示16位的十六进制数
表示32位十六进制数
公约
组成员支架
VCC与V
CC
设备
F [ 3：1] -CE ＃
F [ 2 ：1] -oe ＃
F- VCC P- VCC ， S- VCC
R- OE ＃ ， R- LB ＃ ，
R- UB ＃ ， R- WE＃
00FFh
00FF 00FFh单元
2008年4月
309823-10
数据表
9
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
