恒忆™的StrataFlash
®
无线存储器
（ L18 ）与AD -多路复用I / O
数据表
产品特点
高性能的同时读 - 写/擦除
- 85 ns的初始访问
- 54MHz的零等待状态， 14 ns的时钟用于─
数据输出同步突发模式
- 4-， 8-，16- ，并且连续字突发
模式
- 突发暂停
- 可编程等待配置
- 缓冲增强工厂编程
（缓冲EFP ） ： 5微秒/字节（典型值）
- 1.8 V低功耗缓冲和非缓冲
编程@ 7微秒/字节（典型值）
架构
- 非对称封闭架构
- 多8 - Mbit的分区：64MB和128MB
器件
- 多个16兆分区： 256Mb的器件
- 四16 KWord的参数块：顶部
CON组fi guration
- 64 KWord的主区块
- 双操作：同时读 - 写（ RWW ）
或同时读 - 擦除（ RWE ）
- 状态寄存器的分区和设备
状态
密度和包装
- 64 ， 128 ，和256兆位密度VF BGA
包
- 16位宽的数据总线
动力
- 1.7 V至2.0 V V
CC
手术
- I / O电压： 1.35 V - 2.0 V， 1.7 V - 2.0 V
- 待机电流： 25 μA （典型值）为256兆位
- 4字同步读取电流： 15毫安
（典型值） @ 54兆赫
- 自动省电（ APS ）模式
安全
- OTP空间：
- 64唯一设备标识符位
- 64用户可编程OTP位
• 2048的其他用户可编程OTP
位
- 绝对的写保护： V
PP
= GND
- 电源转换擦除/编程锁定
- 个人零延迟块锁定
- 单个块锁闭
软件
- 20 μs（典型值）计划暂停
- 20 μs（典型值）擦除暂停
- 英特尔®闪存数据集成（ FDI）
优化
- 基本命令集（ BCS ）和扩展
命令集（ ECS ）兼容
- 通用闪存接口（ CFI ），能够
质量和可靠性
- 扩展温度：-25 ° C至+ 85°C
- 每块最少100,000次擦除周期
- 英特尔ETOX *八，工艺技术（ 0.13
µm)
313295-04
2007年11月
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
