恒忆™高级+引导块闪存
存储器（C3）中
28F800C3 ， 28F160C3 ， 28F320C3 （ X16 ）
数据表
产品特点
柔性SmartVoltage技术
- 2.7 V - 3.6 V读/编程/擦除
- 12 V的快速生成编程
1.65 V至2.5 V或2.7 V至3.6 V的I / O选项
- 降低整体系统功耗
高性能
- 2.7 V - 3.6 V ： 70 ns的最大访问时间
优化的架构代码和数据
存储
- 八4千字块，顶部或底部
参数启动
- 高达127× 32K字块
- 快速的程序挂起能力
- 快速擦除挂起功能
灵活的块锁定
- 锁定/解锁任何块
- 完全的保护上电时
- 写保护（ WP ＃ ）引脚用于硬件模块
保护
低功耗
- 9 mA典型阅读
- 7微安的典型待机有自动电源
储蓄功能
扩展温度操作
= -40 ° C至+85°C
128位注册保护
?? 64位唯一设备标识符
?? 64位用户可编程OTP细胞
扩展循环能力
•最低100000块擦除周期
软件
- 支持恒忆闪存先进
文件管理器 - 恒忆™ VFM ，
恒忆™外国直接投资等。
- 代码和数据存储在同一个
存储设备
- 强大的功率损失恢复数据丢失
预防
- 通用闪存接口
标准表面贴装包装
- 48球
μBGA * / VFBGA
- 64 - 易球BGA封装
- 48 - TSOP封装
英特尔ETOX * VIII（ 0.13
μm)
闪存技术
- 8 ， 16 ， 32兆
英特尔ETOX * VII（ 0.18
μm)
闪存技术
- 16 ， 32兆
英特尔ETOX * VI （ 0.25
μm)
闪存技术
- 8 ， 16和32兆位
290645-24
2008年3月
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
