恒忆™无线闪存（ W30 ）
28F640W30 ， 28F320W30 ， 28F128W30
数据表
产品特点
高性能的同时读 - 写/擦除
- 突发频率在40兆赫
- 70 ns的初始访问速度
- 25纳秒页面模式读取速度
- 20 ns的突发模式读取速度
- 突发模式和页模式中的所有块
和所有分区边界
- 突发挂起功能
- 增强的工厂编程：
每个字编程时间3.5微秒
- 可编程等待信号极性
闪光灯电源
— V
CC
= 1.70 V – 1.90 V
— V
CCQ
= 2.20 V – 3.30 V
- 待机电流（ 130纳米） = 8 μA （典型值）。
- 读取电流= 7毫安
（ 4字突发，典型值）
FLASH软件
- 5 μS/ 9微秒（典型值）编程/擦除挂起
等待时间
- 恒忆™闪存数据集成（ FDI）和
通用闪存接口（ CFI ）兼容
质量和可靠性
- 工作温度：
-40 ° C至+85°C
- 100K最小擦除周期
- 130纳米ETOX ™第八流程
- 180纳米ETOX ™VII过程
闪存架构
- 多4兆位分区
- 双操作： RWW或RWE
- 参数块大小= 4 - K字
- 主块大小= 32 ， K字
- 顶部或底部的参数块
闪存安全
- 128位保护寄存器： 64个独特
设备标识符位; 64用户OTP
保护寄存器位
- 绝对的写保护与V
PP
at
地
- 计划和电源时擦除锁定
TRANSITIONS
- 个人和瞬时座
锁定/带向下锁定解锁
密度和包装
- 130纳米： 32MB， 64MB，和128MB的VF
BGA封装; 64兆， 128兆的QUAD +
包
- 180纳米： 32Mb的和128Mb的密度在VF
BGA封装; 64Mb的密度μBGA *
包
- 56有源矩阵球， 0.75毫米球间距
- 16位的数据总线
订单号： 290702-13
2007年11月
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
