恒忆™无线闪存（ W30 ）
2.0
功能概述
本节提供的W30闪存设备功能的概述和
体系结构。
2.1
概观
W30的闪存设备提供了同时读 - 写（ RWW）和Read-白色 -
擦除（ RWE ）的能力。此功能提供高性能的同步和
异步读取中使用的是16位数据总线包兼容的密度。
个别地擦除存储块进行最佳尺寸为代码和数据的存储。
8个4千字参数块位于所述参数分区在任一顶端
或存储器映射的底部。存储器阵列的其余部分被分成32千字
主要模块。
为W30闪存器件的存储器体系结构由多个4兆位的
分区，准确数目依赖于闪光装置的密度。通过将
存储阵列进行分区，编程或擦除操作可以发生
同时在读操作。突发读取可以遍历分区边界，
但用户应用程序代码负责确保突发读取数据并不会延伸到
分区当前正在编程或擦除。虽然每个分区都有突发
读，写和擦除的功能，同时操作被限制为写入或擦除
一个分区，而其他分区是在读模式下。
增强擦除挂起功能，进一步增强了对RWW能力
W30的闪存设备。擦除可以暂停执行程序或读
任何块内的操作，所不同的是被擦除悬于一个块。程序
操作嵌套在暂停擦除内可随后暂停读取尚未
另一存储器位置。
上电后或复位后， W30的闪存设备默认为异步读
配置。写入到闪存存储器器件读取配置寄存器（ RCR）
实现同步突发模式读操作。在同步模式中，在CLK输入
递增一个内部突发地址发生器。 CLK也将同步闪光
对每一个主机CPU和输出数据存储装置，或者在每一个其他的，有效的
最初的潜伏期后， CLK周期。可编程等待输出信号到CPU时，
从闪速存储器设备的数据已准备好。
除了它的改进的架构和接口，在W30的闪存设备
采用增强型工厂编程（ EFP ） ，该功能可实现快速
编程和低功耗设计。该EFP功能提供快速的程序
性能，从而可以提高吞吐量一个工厂的制造。
W30的闪存设备支持读取操作，在1.8 V和擦除和
在1.8 V或12 V.随着1.8 -V的选择方案业务， VCC和VPP可以连
在一起的超低功耗设计。除了电压灵活性，该专用
VPP输入提供了广泛的数据保护时， V
PP
＆ LT ;
V
PPLK
.
128位保护寄存器可以实现新的安全技术和数据
保护方案：
•工厂编程和用户OTP数据单元的组合，提供了独特的闪光
设备标识，帮助实施欺诈或克隆的预防方案，或帮助
保护内容。
•零延迟锁定/解锁任何内存块上，提供即时且
对于重要的系统代码和数据完整保护。
•一个额外的块锁断功能提供了硬件保障在哪里
单独的软件命令不能改变块保护状态。
2007年11月
订单号： 290702-13
数据表
9
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
