恒忆™的StrataFlash
®
无线存储器
(L30)
28F128L30 ， 28F256L30
数据表
产品特点
高性能的同时读 - 写/擦除
- 85 ns的初始访问
- 52 MHz的零等待状态， 17 ns的时钟用于─
数据输出同步突发模式
- 25 ns的异步页模式
- 4-， 8-，16- ，并且连续字突发
模式
- 突发暂停
- 可编程等待配置
- 缓冲增强工厂编程
（ BEFP ）在5微秒/字节（典型值）
- 在1.8 V的低功耗缓冲编程
7微秒/字节（典型值）
架构
- 非对称封闭架构
- 多个分区： 8兆位： 128兆
设备; 16兆位：256兆位器件
- 四个16 - K字参数块：顶部或
底部结构
- 64 KWord的主区块
- 双操作：同时读 - 写（ RWW ）
或同时读 - 擦除（ RWE ）
- 状态寄存器的分区和设备
状态
密度和包装
- 128和VF BGA 256 - Mbit的密度
套餐
- 128/0和256/0密度SCSP
- 16位宽的数据总线
动力
— V
CC
（芯） = 1.7 V - 2.0 V
— V
CCQ
（ I / O） = 2.2 V - 3.3 V
- 待机电流： 30 μA （典型值）为256兆位
- 4字同步读取电流： 16毫安
（典型值） ，在52兆赫
- 自动节能模式
安全
- OTP空间： 64唯一的工厂设备
标识符位; 64个用户可编程OTP
位;附加2048的用户可编程
OTP位
- 绝对的写保护： V
PP
= GND
- 电源转换擦除/编程锁定
- 个人零延迟块锁定
- 单个块锁闭
软件
- 20 μs（典型值）计划暂停
- 20 μs（典型值）擦除暂停
- 恒忆™闪存数据集成
（恒忆™ FDI）优化
质量和可靠性
- 扩展温度：-25 ° C至+ 85°C
- 每块最少100,000次擦除周期
- 英特尔ETOX *八，工艺技术（ 0.13
µm)
251903-11
2007年11月
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
