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M29W800DT45ZE6E 参数 Datasheet PDF下载

M29W800DT45ZE6E图片预览
型号: M29W800DT45ZE6E
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内容描述: 8兆位( 1兆位×8或512千位×16 ,引导块) 3 V电源快闪记忆体 [8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory]
分类和应用:
文件页数/大小: 52 页 / 1105 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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Ordering information  
M29W800DT, M29W800DB  
9
Ordering information  
Table 19. Ordering information scheme  
Example:  
M29W800DB  
90 N  
6
T
Device type  
M29  
Operating voltage  
W = VCC = 2.7 to 3.6 V  
Device function  
800D = 8-Mbit (x 8/x 16), boot block  
Array matrix  
T = top boot  
B = bottom boot  
Speed  
45 = 45 ns  
70 = 70 ns  
90 = 90 ns  
Package  
M = SO44  
N = TSOP48: 12 x 20 mm  
ZE = TFBGA48: 6 x 8 mm, 0.80 mm pitch  
Temperature range  
6 = –40 to 85 °C  
1 = 0 to 70 °C  
Option  
T = tape & reel packing  
E = lead-free package, standard packing  
F = lead-free package, tape & reel packing  
Note:  
For a list of available options (speed, package, etc.) or for further information on any aspect  
of this device, please contact your nearest Numonyx Sales Office.  
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