绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V +到
GND或GND为OUT）
V +和OUT连续
输出电流
输出短路
时间到GND （注2 ）
连续功率
耗散（T
A
=
25℃） （注3）
5.8V
50毫安
1秒。
240毫瓦
T
JMAX
（注3）
θ
JA
（注3）
工作结
温度范围
储存温度
范围
铅温度。 （焊接， 10
秒）
ESD额定值（注7 ）
150˚C
300˚C/W
-40 ° C至85°C
-65 ° C至+ 150°C
300˚C
2kV
电气特性
在标准字体限为T
J
= 25°C ，而在极限
粗体
则适用于整个工作温度范围内。非
少另有规定： V + = 5V ，C
1
= C
2
= 10 μF 。 （注4 ）
符号
V+
I
Q
R
OUT
f
OSC
f
SW
P
EFF
V
OEFF
参数
电源电压
电源电流
输出电阻（注5 ）
振荡器频率（注6 ）
开关频率（注6 ）
功率英法fi效率
电压转换效率
条件
R
L
= 10kΩ
空载
I
L
= 5毫安
国内
测量CAP +
I
L
= 5毫安
空载
12
6
95
民
1.8
40
20
24
12
97
99.96
典型值
最大
5.5
75
115
65
56
28
Ω
千赫
千赫
%
%
单位
V
µA
注1 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
超出其额定工作条件。
注2 ：
OUT可能短路到GND一秒而不损坏。然而，短路输出到V + ，可能会损坏设备，应加以避免。此外，对于温
peratures以上85℃时，OUT不能被短路至GND或V +时，或该设备可能被损坏。
注3 ：
最大允许功耗是通过使用P计算
DMAX
= (T
JMAX
− T
A
)/θ
JA
，其中t
JMAX
是最大结温，T
A
为
环境温度，并
θ
JA
是包的结点至环境热阻。
注4 ：
在测试电路中，用电容器C
1
和C
2
10 μF ， 0.3Ω最大ESR电容。电容器具有较高的ESR会增加输出电阻，减小输出
电压和效率。
注5 ：
指定的输出电阻包括内部开关电阻和电容的ESR 。看到在应用程序的细节信息。
注6 ：
输出开关在一半的振荡频率操作中，f
OSC
= 2f
SW
.
注7 ：
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
