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LM8262MMX 参数 Datasheet PDF下载

LM8262MMX图片预览
型号: LM8262MMX
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内容描述: RRIO ,高输出电流和无限帽负荷运算放大器,采用MSOP [RRIO, High Output Current & Unlimited Cap Load Op Amp in MSOP]
分类和应用: 运算放大器
文件页数/大小: 10 页 / 253 K
品牌: NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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LM8262
5V电气特性
(续)
除非另有说明,所有的有限保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= 1V, V
O
= V
+
/ 2时,与
R
L
& GT ;
1MΩ至V
.
粗体
限制适用于极端温度。
参数
输出短路电流
条件
采购到V
V
ID
= 200mV的(注10 )
下沉到V
+
V
ID
= -200mV (注10 )
35
20
60
50
10
7
16
15
典型值
53
75
2.3
12
10.5
21
53
15
1
900
400
0.05
最大
2.8
3.5
mA
单位
符号
I
SC
I
S
SR
f
u
增益带宽积
PHI
m
e
n
i
n
f
最大
t
S
THD + N
电源电流(都安)
压摆率(注8)
单位增益频率
增益带宽积
相位裕度
输入参考电压噪声
等效输入噪声电流
全功率带宽
稳定时间( +/- 5 % )
总谐波失真+
噪音
无负载,V
CM
= 1V
A
V
= +1, V
I
= 5V
PP
V
I
- 为10mV ,
R
L
=为2kΩ到V
+
/2
F = 50kHz的
V
I
= 10mV的
F = 2kHz的,R
S
= 50Ω
F = 2kHz的
Z
L
= ( 20pF的|| 10KΩ )到V
+
/2
100mV
PP
步骤, 500pF的负载
R
L
= 1kΩ的到V
+
/2
F = 10kHz到一
V
= +2, 4V
PP
摇摆
mA
V / μs的
兆赫
兆赫
内华达州/
PA /
千赫
ns
%
+/- 11V电气特性
除非另有说明,所有的有限保证对于T
J
= 25 ° C,V
+
= 11V, V
= −11V, V
CM
= 0V, V
O
= 0V ,并
R
L
& GT ;
1MΩ至0V。
粗体
限制适用于极端温度。
符号
V
OS
TC V
OS
I
B
参数
输入失调电压
输入失调漂移平均
输入偏置电流
条件
V
CM
= -10.5V & V
CM
= 10.5V
V
CM
= -10.5V & V
CM
= 10.5V
V
CM
= −10.5V
V
CM
= 10.5V
I
OS
CMRR
输入失调电流
共模抑制
V
CM
= -10.5V & V
CM
= 10.5V
V
CM
走下-11V至9V
V
CM
加强从10V到11V
V
CM
走下-11V至11V
+ PSRR
-PSRR
正电源。
抑制比
负电源
抑制比
V
+
= 9V至11V
V
= -9V到-11V
84
80
74
72
70
66
70
66
典型值
+/−0.7
+/−2
−1.05
+0.49
30
100
100
88
100
100
最大
+/−7
+/− 9
−2.00
−2.80
+1.00
+1.50
275
550
dB
dB
dB
单位
mV
μV/°C
µA
nA
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4