LM78LXX系列
LM78LXX电气特性
在标准字体限为T
J
= 25˚C,
粗体
适用于在0°C至125°C的SO -8和TO- 92封装，以及-40℃至85℃的micro SMD封装。
限制是
通过使用标准的统计质量控制（ SQC）方法生产测试或相关技术保障。除非
特别说明：我
O
= 40毫安，C
I
= 0.33μF ，C
O
= 0.1μF 。 （续）
LM78L62AC
符号
∆V
O
∆V
O
I
Q
∆I
Q
V
n
（续）
除非另有规定ED ，V
IN
= 12V
参数
线路调整
负载调整率
静态电流
静态电流变化
输出噪声电压
纹波抑制
8V
≤
V
IN
≤
20V
1mA
≤
I
O
≤
40mA
F = 10赫兹至100千赫兹
F = 120赫兹
10V
≤
V
IN
≤
20V
40
50
46
140
I
O
= 5毫安
−0.75
7.9
条件
8.5V
≤
V
IN
≤
20V
9V
≤
V
IN
≤
20V
1mA
≤
I
O
≤
100mA
1mA
≤
I
O
≤
40mA
民
典型值
65
55
13
6
2
最大
175
125
80
40
5.5
1.5
0.1
µV
dB
mA
毫伏/°C的
V
mA
mV
单位
I
PK
峰值输出电流
平均输出电压温度系数
V
IN
（分钟）
输入电压的最小值
必须保持线路调整
LM78L82AC
除非另有规定ED ，V
IN
= 14V
符号
V
O
输出电压
11V
≤
V
IN
≤
23V
1mA
≤
I
O
≤
40mA
1mA
≤
I
O
≤
70mA
∆V
O
∆V
O
I
Q
∆I
Q
V
n
线路调整
负载调整率
静态电流
静态电流变化
输出噪声电压
纹波抑制
12V
≤
V
IN
≤
23V
1mA
≤
I
O
≤
40mA
F = 10赫兹至100千赫兹
F = 120赫兹
12V
≤
V
IN
≤
22V
39
60
45
140
I
O
= 5毫安
−0.8
9.9
11V
≤
V
IN
≤
23V
12V
≤
V
IN
≤
23V
1mA
≤
I
O
≤
100mA
1mA
≤
I
O
≤
40mA
参数
条件
民
7.87
7.8
典型值
8.2
最大
8.53
8.6
单位
V
7.8
80
70
15
8
2
8.6
175
125
80
40
5.5
1.5
0.1
µV
dB
mA
毫伏/°C的
V
mA
mV
I
PK
峰值输出电流
平均输出电压温度系数
V
IN
（分钟）
输入电压的最小值
必须保持线路调整
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4
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
