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输入电压（V
O
e
5V 12V和15V ）
内部功率耗散（注1 ）
工作温度范围（T
A
)
35V
内部限制
0 ℃〜
a
70 C
最高结温
（K包）
（T封装）
存储温度范围
引线温度（焊接10秒）
TO- 3 K组
TO- 220封装牛逼
150 C
150 C
b
65℃，以
a
150 C
300 C
230 C
电气特性LM78XXC
（注2） 0℃下
s
Tj
s
125 C除非另有说明
输出电压
输入电压（除非另有说明）
符号
V
O
参数
输出电压
条件
Tj
e
25℃ 5毫安
s
I
O
s
1A
P
D
s
15W 5毫安
s
I
O
s
1A
V
民
s
V
IN
s
V
最大
DV
O
线路调整
I
O
e
500毫安TJ
e
25 C
DV
IN
0 C
s
Tj
s
a
125 C
DV
IN
I
O
s
1A
Tj
e
25 C
DV
IN
0 C
s
Tj
s
a
125 C
DV
IN
DV
O
负载调整率
Tj
e
25 C
5毫安
s
I
O
s
1 5A
250毫安
s
I
O
s
750毫安
民
48
5V
10V
TYP MAX
5
52
民
11 5
12V
19V
典型值
12
最大
12 5
民
14 4
15V
23V
典型值
15
最大
15 6
V
V
V
mV
V
mV
V
mV
V
mV
V
mV
mV
mV
mA
mA
mA
mA
V
mA
V
mV
dB
dB
V
V
mX
A
A
毫伏ç
V
单位
4 75
5 25 11 4
12 6 14 25
15 75
(7 5
s
V
IN
s
20) (14 5
s
V
IN
s
27) (17 5
s
V
IN
s
30)
3
50
(7
s
V
IN
s
25)
50
(8
s
V
IN
s
20)
50
(7 5
s
V
IN
s
20)
25
(8
s
V
IN
s
12)
10
50
25
50
8
85
05
10
(7 5
s
V
IN
s
20)
10
(7
s
V
IN
s
25)
40
62
62
80
55
55
4
120
14 5
s
V
IN
s
30)
120
(15
s
V
IN
s
27)
120
(14 6
s
V
IN
s
27)
60
(16
s
V
IN
s
22)
12
120
60
120
8
85
05
10
(14 8
s
V
IN
s
27)
10
(14 5
s
V
IN
s
30)
75
72
54
54
4
150
(17 5
s
V
IN
s
30)
150
(18 5
s
V
IN
s
30)
150
(17 7
s
V
IN
s
30)
75
(20
s
V
IN
s
26)
12
150
75
150
8
85
05
10
(17 9
s
V
IN
s
30)
10
(17 5
s
V
IN
s
30)
90
70
5毫安
s
I
O
s
1A 0℃
s
Tj
s
a
125 C
I
Q
DI
Q
静态电流
静态电流
变化
I
O
s
1A
Tj
e
25 C
0 C
s
Tj
s
a
125 C
5毫安
s
I
O
s
1A
Tj
e
25 C I
O
s
1A
V
民
s
V
IN
s
V
最大
I
O
s
500毫安0℃
s
Tj
s
a
125 C
V
民
s
V
IN
s
V
最大
V
N
输出噪声电压牛逼
A
e
25℃ 10赫兹
s
f
s
100千赫
I
O
s
1A TJ
e
25℃或
I
O
s
500毫安
0 C
s
Tj
s
a
125 C
V
民
s
V
IN
s
V
最大
f
e
120赫兹
Tj
e
25 C I
OUT
e
1A
f
e
1千赫
Tj
e
25 C
Tj
e
25 C
0 C
s
Tj
s
a
125 C I
O
e
5毫安
DV
IN
纹波抑制
DV
OUT
(8
s
V
IN
s
18)
20
8
21
24
06
75
(15
s
V
IN
s
25)
20
18
15
24
15
14 6
(18 5
s
V
IN
s
28 5)
20
19
12
24
18
17 7
R
O
输入输出电压差
输出电阻
短路电流
峰值输出电流
V的平均TC
OUT
V
IN
输入电压
需要保持TJ
e
25 C I
O
s
1A
线路调整
注1
在TO- 3封装（K KC ）的热阻一般为4 CW结点到外壳和35 CW外壳到环境的TO- 220热电阻
封装（T ）一般为4 CW的结到外壳和50 CW外壳到环境
注2
所有的特性都跨越0 22输入测量电容
mF
和整个的0 1MF输出噪声除外的所有特性的电容器
电压和纹波抑制比使用脉冲技术测量（T
w
s
10毫秒的占空比
s
5％）的输出电压的变化引起的变化，内部
温度必须分别考虑
2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
