LM75
1.0功能描述
1.11指针寄存器
（续）
（选择对哪些寄存器进行读取或写入） ：
P7
0
P6
0
P5
0
P4
0
P3
0
P2
0
P1
P0
注册
SELECT
P0 -P1 ：寄存器选择：
P1
0
0
1
1
P2 - P7 ：必须保持为零。
1.12温度寄存器
（只读） ：
D15
最高位
D14
第7位
D13
第6位
D12
第5位
D11
4位
D10
第3位
D9
第2位
D8
第1位
D7
最低位
D6
X
D5
X
D4
X
D3
X
D2
X
D1
X
D0
X
P0
0
1
0
1
注册
温度（只读） （上电默认）
配置（读/写）
T
HYST
（读/写）
T
OS
（读/写）
D0 - D6 ：未定义
D7 - D15 ：温度数据。一个LSB = 0.5C 。两公司
补码格式。
1.13配置寄存器
（读/写） ：
D7
0
D6
0
D5
0
D4
故障队列
D3
D2
O.S.
极性
电时默认为与所有位为“0” （零）。
D0 ：关机：当设置为1的LM75进入低功耗
关断模式。
D1 ：比较器/中断模式： 0为比较器模式， 1是
中断模式。
D2 ： O.S.极性：0是低有效， 1为高电平有效。 O.S.是一个
漏极开路输出在所有情况下。
D4
0
0
1
1
D3
0
1
0
1
2
4
6
D3 - D4 ：故障队列：必要的故障数来检测
设置O.S.前输出，以避免因误动
噪声。故障determind在转换结束。
转换需要大约100毫秒，通常情况下，即可完成。
D1
CMP /智力
D0
关闭
故障数
1 （上电缺省）
D5 - D7 ：这些位用于生产测试和必须的
保持零以进行正常操作。
1.14 T
HYST
和T
OS
注册
（读/写） ：
D15
最高位
D14
第7位
D13
第6位
D12
第5位
D11
4位
D10
第3位
D9
第2位
D8
第1位
D7
最低位
D6
X
D5
X
D4
X
D3
X
D2
X
D1
X
D0
X
D0 - D6 ：未定义
D7 - D15 ：T已
HYST
或T
OS
跳闸温度数据。上电
默认为T
OS
= 80 ° C，T
HYST
= 75˚C.
11
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
