绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空专用设备，请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
（注6 ）
LM741A
LM741E
LM741
LM741C
±
22V
±
22V
±
22V
±
18V
电源电压
功率耗散（注2 ）
500毫瓦
500毫瓦
500毫瓦
500毫瓦
±
30V
±
30V
±
30V
±
30V
差分输入电压
±
15V
±
15V
±
15V
±
15V
输入电压（注3）
输出短路持续时间
连续
连续
连续
连续
工作温度范围
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
存储温度范围
-65 ° C至+ 150°C
-65 ° C至+ 150°C
-65 ° C至+ 150°C
-65 ° C至+ 150°C
结温
150˚C
100˚C
150˚C
100˚C
焊接信息
N-二包（ 10秒）
260˚C
260˚C
260˚C
260˚C
J-或H -包（ 10秒）
300˚C
300˚C
300˚C
300˚C
M-包
气相（60秒）
215˚C
215˚C
215˚C
215˚C
红外（15秒）
215˚C
215˚C
215˚C
215˚C
见AN- 450“表面贴装方法及其对产品可靠性的影响”为焊接等方法
表面贴装器件。
ESD容差（注7 ）
400V
400V
400V
400V
电气特性
（注4 ）
参数
输入失调电压
条件
T
A
= 25˚C
R
S
≤
10 kΩ
R
S
≤
50Ω
T
AMIN
≤
T
A
≤
T
AMAX
R
S
≤
50Ω
R
S
≤
10 kΩ
平均输入失调
电压漂移
输入失调电压
调整范围
输入失调电流
平均输入失调
电流漂移
输入偏置电流
输入阻抗
T
A
= 25˚C
T
AMIN
≤
T
A
≤
T
AMAX
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
20V
T
AMIN
≤
T
A
≤
T
AMAX
,
V
S
=
±
20V
输入电压范围
T
A
= 25˚C
T
AMIN
≤
T
A
≤
T
AMAX
1.0
0.5
30
6.0
80
0.210
0.3
2.0
80
500
1.5
0.3
2.0
80
500
0.8
nA
µA
MΩ
MΩ
T
A
= 25˚C
T
AMIN
≤
T
A
≤
T
AMAX
3.0
30
70
0.5
20
85
200
500
20
200
300
nA
nA
NA / ℃，
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
20V
15
4.0
6.0
7.5
mV
mV
μV/°C
0.8
3.0
1.0
5.0
2.0
6.0
mV
mV
LM741A/LM741E
民
典型值
最大
民
LM741
典型值
最大
民
LM741C
典型值
最大
单位
±
10
±
15
±
15
mV
±
12
±
12
±
13
±
13
V
V
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2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
