绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
（注10 ）
从V脉冲电压
+
到V
−
（ 50毫秒）
从V连续电压
+
到V
−
输入输出电压差
放大器最大输入电压
（任一输入）
放大器最大输入电压
（差分）
从V电流
Z
从V电流
REF
内部功耗
金属罐（注2 ）
50V
40V
40V
8.5V
5V
25毫安
15毫安
800毫瓦
腔DIP （注2 ）
900毫瓦
成型DIP （注2 ）
660毫瓦
工作温度范围
LM723
-55 ° C至+ 150°C
LM723C
0 ° C至+ 70°C
存储温度范围
金属罐
-65 ° C至+ 150°C
模压DIP
-55 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 4秒最大）
气密封装
300˚C
塑料包装
260˚C
ESD容差
1200V
（人体模型， 1.5 kΩ的串联为100 pF ）
电气特性
（注3） （注10 ）
参数
线路调整
条件
民
V
IN
= 12V到V
IN
= 15V
−55˚C
≤
T
A
≤
+125˚C
0˚C
≤
T
A
≤
+70˚C
V
IN
= 12V到V
IN
= 40V
I
L
= 1 mA至我
L
= 50毫安
−55˚C
≤
T
A
≤
+125˚C
纹波抑制
平均气温Coeffic-
输出电压ient （注8 ）
短路电流限制
参考电压
输出噪声电压
长期稳定性
待机电流消耗
输入电压范围
输出电压范围
输入输出电压差
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JC
模压DIP
腔DIP
H10C板安装在静止空气中
/ H10C板安装在400 LF最小空气流量
150
165
66
22
165
66
22
I
L
= 0, V
IN
= 30V
9.5
2.0
3.0
BW = 100 Hz至10 kHz的，C
REF
= 0
BW = 100 Hz至10 kHz的，C
REF
= 5 µF
0˚C
≤
T
A
≤
+70˚C
F = 50赫兹到10千赫兹，C
REF
= 0
F = 50赫兹到10千赫兹，C
REF
= 5 µF
−55˚C
≤
T
A
≤
+125˚C
0˚C
≤
T
A
≤
+70˚C
R
SC
= 10Ω, V
OUT
= 0
74
86
0.002 0.015
0.003 0.015
65
6.95 7.15
86
2.5
0.05
1.7
3.5
40
37
38
9.5
2.0
3.0
105
65
7.35 6.80 7.15
86
2.5
0.05
1.7
4.0
40
37
38
7.50
0.02
0.03
LM723
典型值
0.01
最大最小
0.1
0.3
0.3
0.2
0.15
0.6
0.6
74
86
0.1
0.03
0.5
0.2
LM723C
典型值
0.01
最大
0.1
% V
OUT
% V
OUT
% V
OUT
% V
OUT
% V
OUT
% V
OUT
% V
OUT
dB
dB
%/˚C
%/˚C
mA
V
μVRMS
μVRMS
％ / 1000小时
mA
V
V
V
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
单位
负载调整率
注1 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
功能，但不保证特定的性能极限。
注2 ：
见降额曲线的最大额定功率25℃以上。
注3 ：
除非另有规定，T
A
= 25 ° C，V
IN
= V
+
= V
C
= 12V, V
−
= 0, V
OUT
= 5V ，我
L
= 1毫安，R
SC
= 0, C
1
= 100 pF的，C
REF
= 0和分压器阻抗为
看到由误差放大器
≤
为10kΩ所示连接
图1 。
线路和负载调节规格给出了恒定芯片的温度条件。温
perature漂移必须单独考虑高散热条件。
注4 ：
L
1
为40匝20号漆包线绕在Ferroxcube公司P36 / 22-3B7壶芯或等效采用0.009英寸空气间隙。
注5 ：
可以使用括号中的数字，如果R1 / R2分置于误差放大器的另一输入端。
注6 ：
与除法的数字中显示替换R1 / R2
图13 。
注7 ：
V
+
和V
CC
必须连接到+ 3V或更大的电源。
注8 ：
对于金属罐的应用，其中V
Z
是必需的，一个外部6.2V齐纳二极管应该串联连接在V
OUT
.
3
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
