绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压引脚
功率耗散（注2 ）
V
8
V
3
V
3
存储温度范围
9V
1100毫瓦
15V
−10V
V
4
+ 0.5V
-65 ° C至+ 150°C
工作温度范围
LM567H
-55 ° C至+ 125°C
LM567CH ， LM567CM ， LM567CN
0 ° C至+ 70°C
焊接信息
双列直插式封装
焊接（10秒）
260˚C
小外形封装
气相（ 60秒）
215˚C
红外（15秒）。
220˚C
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
对产品可靠性“焊接等方法
表面贴装器件。
电气特性
AC测试电路，T
A
= 25 ° C，V
+
= 5V
参数
电源电压范围
电源静态电流
电源电流激活
输入阻抗
最小可检测输入电压
最大的无输出输入电压
最大同时带外信号以
带内信号比
最小输入信号为宽带噪声
比
最大检测带宽
最大检测带宽倾斜
最大探测带宽变化
随温度
最大探测带宽变化
与电源电压
最高的中心频率
中心频率稳定度（ 4.75-5.75V ）
0
＆ LT ;
T
A
＆ LT ;
70
−55
＆ LT ;
T
A
＆ LT ;
+125
4.75V–6.75V
4.75V–9V
V
8
= 15V
e
i
= 25 mV时，我
8
= 30毫安
e
i
= 25 mV时，我
8
= 100毫安
4.75–6.75V
100
B
n
= 140千赫
12
I
L
= 100毫安，女
i
= f
o
I
C
= 100毫安，女
i
= f
o
10
R
L
= 20k
R
L
= 20k
18
条件
LM567
民
4.75
典型值
5.0
6
11
20
20
15
6
−6
14
1
16
2
10
25
10
最大
9.0
8
13
15
LM567C/LM567CM
民
4.75
典型值
5.0
7
12
20
20
15
6
−6
14
2
18
3
25
最大
9.0
10
15
单位
V
mA
mA
kΩ
毫伏有效值
毫伏有效值
dB
dB
％F的
o
％F的
o
%/˚C
±
0.1
±
1
500
35
±
60
35
±
140
0.5
f
o
/20
0.01
0.2
0.6
30
150
25
0.4
1.0
1.0
2.0
±
0.1
±
2
100
±
1
500
35
±
60
35
±
140
0.4
f
o
/20
0.01
0.2
0.6
30
150
±
5
%V
千赫
PPM /°C的
PPM /°C的
中心频移与供应
电压
最快的ON-OFF循环速率
输出漏电流
输出饱和电压
输出下降时间
输出上升时间
2.0
2.0
25
0.4
1.0
%/V
%/V
µA
V
ns
ns
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明该设备是功能条件
tional ，但不保证特定的性能极限。电气特性规定了直流和交流的试验条件下，瓜尔电气规范
antee个别性能指标。这是假设该设备在工作额度内。规格不保证参数在没有极限
给定，然而，典型值是设备性能的一个很好的迹象。
注2 ：
该LM567和LM567C的最高结温为150℃。对于在升高的温度下操作，在TO -5封装的器件必须被去
以150℃/ W，结到环境或45˚C / W，结到外壳的热阻评级。对于DIP设备必须基于一种热电阻降额
110˚C / W的tance ，结到环境。对于小外形封装，设备必须基于160˚C / W ，结到环境的热阻降额。
注3 ：
请参阅RETS567X图纸军事LM567H版本规格。
www.national.com
2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
