LM4890
绝对最大额定值
θ
JA
（ 9焊球micro SMD ，注12 ）
θ
JC
（ MSOP ）
θ
JA
（ MSOP ）
θ
JA
（ LLP ）
焊接信息
180˚C/W
56˚C/W
190˚C/W
220˚C/W
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（注11 ）
储存温度
输入电压
功率耗散（注3 ）
ESD易感性（注4 ）
结温
热阻
θ
JC
（ SOP ）
θ
JA
（ SOP ）
θ
JA
（ 8焊球micro SMD ，注12 ）
35˚C/W
150˚C/W
220˚C/W
6.0V
-65 ° C至+ 150°C
-0.3V到V
DD
+0.3V
内部限制
2000V
150˚C
见AN- 1112 "microSMD晶圆级芯片尺寸
Package."
见AN- 1187 "Leadless引线框架封装（ LLP ） 0."
工作额定值
温度范围
T
民
≤
T
A
≤
T
最大
电源电压
−40˚C
≤
T
A
≤
85˚C
2.2V
≤
V
DD
≤
5.5V
（注1 ， 2 ， 8 ）
以下规格申请，除非另有说明在图1所示的电路。限制适用对于T
A
= 25˚C.
LM4890
符号
I
DD
I
SD
V
SDIH
V
SDIL
V
OS
参数
静态电源电流
关断电流
关断电压输入高
关断电压输入低
输出电压Ofsett
7
8.5
THD = 2 ％（最大值） ; F = 1千赫
1.0
170
170
P
o
= 0.4 WRMS ; F = 1kHz时
V
纹波
= 200mV的正弦P-P
输入端接10欧姆
地
8
Ω
负载
0.1
62 (f =
217Hz)
66 （ F = 1kHz时）
1.0
55
条件
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，空载
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ， 8Ω负载
V
关闭
= 0V
典型
4
5
0.1
极限
（注7,9）
8
10
2.0
1.2
0.4
50
9.7
7.0
0.8
220
150
190
单位
（限量）
毫安（最大）
毫安（最大）
μA（最大值）
V（分钟）
V（最大值）
毫伏（最大）
千欧（最大值）
千欧（分钟）
W
毫秒（最大值）
C（分钟）
C（最大值）
%
分贝（分钟）
电气特性V
DD
= 5V
R
OUT- GND
输出电阻到GND （注10 ）
P
o
T
WU
T
SD
THD + N
PSRR
输出功率（ 8Ω ）
唤醒时间
热关断温度
总谐波失真+噪声
电源抑制比
关机时间
T
SDT
毫秒（最大值）
（注1 ， 2 ， 8 ）
以下规格申请，除非另有说明在图1所示的电路。限制适用对于T
A
= 25˚C.
LM4890
符号
I
DD
I
SD
V
SDIH
V
SDIL
V
OS
参数
静态电源电流
关断电流
关断电压输入高
关断电压输入低
输出失调电压
7
8.5
120
4
电气特性V
DD
= 3V
条件
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ，空载
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A ， 8Ω负载
V
关闭
= 0V
典型
3.5
4.5
0.1
极限
（注7,9）
7
9
2.0
1.2
0.4
50
9.7
7.0
180
单位
（限量）
毫安（最大）
毫安（最大）
μA（最大值）
V（分钟）
V（最大值）
毫伏（最大）
千欧（最大值）
千欧（分钟）
毫秒（最大值）
R
OUT- GND
输出电阻到GND （注10 ）
T
WU
唤醒时间
www.national.com
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
