LM4872
绝对最大额定值
（注2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
储存温度
输入电压
功率耗散（注3 ）
ESD易感性（注4 ）
ESD易感性（注5 ）
结温
6.0V
-65 ° C至+ 150°C
-0.3V到V
DD
+0.3V
内部限制
2500V
250V
150˚C
焊接信息
见AN- 1112
“微型SMD
晶圆级芯片尺寸
套餐“ 。
工作额定值
温度范围
T
民
≤
T
A
≤
T
最大
电源电压
−40˚C
≤
T
A
≤
85˚C
2.0V
≤
V
DD
≤
5.5V
电气特性V
DD
= 5V
（注1 ， 2 ， 9 ）
以下规格适用于V
DD
= 5V和8Ω负载，除非另有规定。限制适用对于T
A
= 25˚C.
LM4872
单位
（限量）
V（分钟）
V（最大值）
毫安（最大）
μA（最大值）
毫伏（最大）
W
%
dB
符号
V
DD
I
DD
I
SD
V
OS
P
o
THD + N
PSRR
参数
电源电压
静态电源电流
关断电流
输出失调电压
输出功率
总谐波失真+噪声
电源抑制比
条件
典型
（注6 ）
极限
（注7 ）
2.0
5.5
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A
V
PIN1
= V
DD
V
IN
= 0V
THD = 0.2％ （最大值） ; F = 1千赫
P
o
= 0.25 WRMS ;一
VD
= 2; 20赫兹
≤
f
≤
20千赫
V
DD
= 4.9V至5.1V
5.3
0.01
5
1
0.1
65
7
2
50
电气特性V
DD
= 3.3V
以下规格适用于V
DD
（注1 ， 2 ， 9 ）
= 3.3V和8Ω负载，除非另有规定。限制适用对于T
A
= 25˚C.
LM4872
单位
（限量）
V（分钟）
V（最大值）
毫安（最大）
μA（最大值）
毫伏（最大）
.45
W
%
dB
符号
V
DD
I
DD
I
SD
V
OS
P
o
THD + N
PSRR
参数
电源电压
静态电源电流
关断电流
输出失调电压
输出功率
总谐波失真+噪声
电源抑制比
条件
典型
（注6 ）
极限
（注7 ）
2.0
5.5
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A
V
PIN1
= V
DD
V
IN
= 0V
THD = 1％ （最大） ; F = 1千赫
P
o
= 0.25 WRMS ;一
VD
= 2; 20赫兹
≤
f
≤
20千赫
V
DD
= 3.2V至3.4V
4
0.01
5
.5
0.15
65
电气特性V
DD
= 2.6V
以下规格适用于V
DD
符号
V
DD
I
DD
参数
电源电压
静态电源电流
（注1 ， 2 ， 8 ， 9 ）
= 2.6V和8Ω负载，除非另有规定。限制适用对于T
A
= 25˚C.
LM4872
条件
典型
（注6 ）
极限
（注7 ）
2.0
5.5
V
IN
= 0V时，我
o
= 0A
3.4
单位
（限量）
V（分钟）
V（最大值）
毫安（最大）
www.national.com
2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
