电气特性的完整IC
（注1,2 ）
（续）
以下规格适用于V
DD
= 5V ，除非另有说明。限制适用对于T
A
= 25˚C.
LM4832
符号
音频路径
P
O
输出功率
THD = 1.0 ％ （最大值） ， F = 1 kHz时，所有
经过0dB控制
R
L
= 8Ω
R
L
= 32Ω
THD + N
总谐波失真+噪声
所有的控制在0分贝， THD = 10％ ， F = 1
千赫
R
L
= 8Ω
P
O
= 200毫瓦，R
L
= 8Ω
P
O
= 75毫瓦，R
L
= 32Ω
V
O
= 1 Vrms的，R
L
= 10Ω
PSRR
A
M
X
TALK
电源抑制比
静音衰减
相声
C
B
= 1 μF ， F = 100赫兹，V
纹波
= 100
毫伏有效值，所有的控制在0dB设置
F = 1千赫，V
IN
= 1V
P
O
= 200毫瓦，R
L
= 8Ω,
所有的控制在0 dB设置，
F = 1千赫
从左至右
从右到左
麦克风前置放大器和音量控制
A
V
前置放大器增益
增益为0 dB
20分贝增益
30分贝增益
A
R
A
S
V
摇摆
E
NO
PSRR
A
M
X
TALK
THD + N
衰减范围
步长
步长误差
输出电压摆幅
输入参考噪声
电源抑制比
静音衰减
相声
总谐波失真加噪声
功率放大器P
O
= 200毫瓦中，f = 1千赫
在0dB ， F = 1千赫，V所有控件
O
= 1V
0分贝设置
20分贝增益
30分贝增益
I 2 C总线时序
f
最大
T
START ： HOLD
T
D组;设置
T
C：高
T
C：低
T
停止;设置
最大总线频率
启动信号：前保持时间
时钟/数据转换
数据建立时间
最小高时钟时间
最小的低时钟时间
之前建立时间：停止信号
时钟/数据转换
输入低电压
400
0.6
0.1
0.6
1.3
0.6
千赫
µs
µs
µs
µs
µs
2
参数
条件
典型
（注6 ）
极限
（注7 ）
单位
（限量）
250
95
75
毫瓦（分钟）
毫瓦（分钟）
350
0.15
0.11
0.08
45
−75
mW
%
%
%
dB
dB
−85
−72
0
20
30
−1, 1
19, 21
29, 31
20
−43
3
0.4
1.7
7
35
−90
−90
0.03
0.03
0.04
dB
dB
dB
dB
dB
分贝（最大）
分贝（分钟）
dB
分贝（最大）
V
RMS
μV （分钟）
dB
dB
dB
%
%
%
增益18分贝设置
衰减-42 dB的设置
0 dB至-42 dB的
F = 1千赫，THD
＆ LT ;
1.0%, R
L
= 1 kΩ
A加权，衰减器在0dB
F = 100赫兹，V
纹波
= 100毫伏有效值，
C
B
= 1 µF
I
2
C总线输入和输出
V
IL
1.5
V（最大值）
3
www.national.com
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
