LM4808
绝对最大额定值
（注3）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
储存温度
输入电压
功率耗散（注4 ）
ESD易感性（注5 ）
ESD易感性（注6 ）
结温
焊接信息（注1 ）
小外形封装
气相（60秒）
6.0V
-65 ° C至+ 150°C
-0.3V到V
DD
+ 0.3V
内部限制
3500V
250V
150˚C
红外（15秒）
热阻
θ
JC
（ MSOP ）
θ
JA
（ MSOP ）
θ
JC
（ SOP ）
θ
JA
（ SOP ）
220˚C
56˚C/W
210˚C/W
35˚C/W
170˚C/W
工作额定值
温度范围
T
民
≤
T
A
≤
T
最大
电源电压
−40˚C
≤
T
A
≤
85˚C
2.0V
≤
V
DD
≤
5.5V
注1 ：
见AN- 450“表面安装和他们对产品可靠性的影响
能力“为焊接表面的其他方法安装设备。
215˚C
电气特性
（注2,3）
以下规格适用于V
DD
= 5V ，除非另有规定，限制适用至T
A
= 25˚C.
符号
V
DD
I
DD
P
合计
V
OS
IBIAS
V
CM
G
V
Io
R
O
V
O
PSRR
相声
THD + N
参数
电源电压
电源电流
总功耗
输入失调电压
输入偏置电流
共模电压
开环电压增益
最大输出电流
输出电阻
输出摆幅
电源抑制比
声道分离
总谐波失真+
噪音
R
L
= 32Ω ， 0.1 ％ THD + N，民
R
L
= 32Ω ， 0.1 ％ THD + N，最大
CB = 1.0μF ， VRIPPLE = 100mV的
PP
,
F = 100Hz的
R
L
= 32Ω
F = 1千赫
R
L
= 16Ω,
V
O
=3.5V
PP
（ 0 dB）的
R
L
= 32Ω,
V
O
=3.5V
PP
（ 0 dB）的
SNR
f
G
P
o
信噪比
单位增益频率
输出功率
V
O
= 3.5V
pp
（ 0 dB）的
开环，R
L
= 5kΩ
THD + N = 0.1％中，f = 1千赫
R
L
= 16Ω
R
L
= 32Ω
THD + N = 10％中，f = 1千赫
R
L
= 16Ω
R
L
= 32Ω
C
I
C
L
SR
输入电容
负载电容
压摆率
单位增益反相
3
150
90
3
200
mW
mW
pF
pF
V / μs的
105
70
60
mW
mW
0.05
66
0.05
66
105
5.5
%
dB
%
dB
dB
兆赫
R
L
= 5kΩ
THD + N
＆ LT ;
0.1 %
V
IN
= 0V时，我
O
= 0A
V
IN
= 0V时，我
O
= 0A
V
IN
= 0V
1.2
6
10
10
0
4.3
67
70
0.1
.3
4.7
89
75
条件
LM4808
典型值
（注7 ）
极限
（注8）
2.0
5.5
3.0
16.5
50
V（分钟）
V（最大值）
毫安（最大）
毫瓦（最大）
毫伏（最大）
pA
V
V
dB
mA
Ω
V
dB
dB
单位（限额）
www.national.com
2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
