LM4041
LM4041-1.2
电气特性（工业温度范围）
黑体字限额适用于对于T
A
= T
J
= T
民
给T
最大
;
所有其他限制牛逼
A
= T
J
= 25℃。该等级C，D和E指定初始复位
的诗句击穿电压容差
±
0.5%,
±
为1.0％和
±
2.0 ％之间。
符号
参数
条件
典型LM4041CIM3 LM4041DIM3 LM4041EIM3
（注4 ）
LM4041CIZ
LM4041DIZ
LM4041EIZ
LM4041CIM7 LM4041DIM7 LM4041EIM7
范围
限制（注
范围
（注5 ）
5)
（注5 ）
1.225
单位
（限）
V
R
反向击穿
电压
反向击穿
电压
公差（注6 ）
I
R
= 100 µA
I
R
= 100 µA
V
±
6
±
14
45
60
65
±
12
±
24
±
25
±
36
毫伏（最大）
毫伏（最大）
µA
I
RMIN
最小工作
当前
65
70
65
70
μA（最大值）
μA（最大值）
PPM /°C的
PPM / C （最大值）
PPM /°C的
mV
∆V
R
/∆T
V
R
温度
系数（注6 ）
反向击穿
电压的变化与
工作电流
变化
I
R
= 10毫安
I
R
= 1毫安
I
R
= 100 µA
I
RMIN
≤
I
R
≤
1毫安
±
20
±
15
±
15
0.7
±
100
±
150
±
150
∆V
R
/∆I
R
1.5
2.0
1毫安
≤
I
R
≤
12毫安
2.5
6.0
8.0
2.0
2.5
8.0
10.0
2.0
2.5
8.0
10.0
毫伏（最大）
毫伏（最大）
mV
毫伏（最大）
毫伏（最大）
Ω
Z
R
反向动态
阻抗
宽带噪声
反向击穿
电压长期
稳定性
I
R
= 1毫安，
F = 120赫兹
I
AC
= 0.1 I
R
I
R
= 100 µA
10赫兹
≤
f
≤
10千赫
T = 1000小时
中T = 25℃
±
0.1˚C
I
R
= 100 µA
0.5
1.5
20
2.0
2.0
Ω （最大值）
µV
RMS
e
N
∆V
R
120
PPM
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4
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
