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LM4040DIM3-2.5 参数 Datasheet PDF下载

LM4040DIM3-2.5图片预览
型号: LM4040DIM3-2.5
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内容描述: 精密微功耗并联型电压基准 [Precision Micropower Shunt Voltage Reference]
分类和应用:
文件页数/大小: 30 页 / 358 K
品牌: NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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LM4040
LM4040-3.0
电气特性(工业温度范围)
黑体字限额适用于对于T
A
= T
J
= T
给T
最大
;
所有其他限制牛逼
A
= T
J
= 25°C 。该等级C,D和E的初始候
反向击穿电压公差
±
0.5%,
±
为1.0%和
±
2.0 %之间。
符号
参数
条件
典型
LM4040CIM3 LM4040DIM3 LM4040EIM7
LM4040DIZ
LM4040DIZ
LM4040EIZ
LM4040CIM7 LM4040DIM7
范围
范围
范围
单位
(限)
V
R
反向击穿我
R
= 100 µA
电压
反向击穿我
R
= 100 µA
电压容差
3.000
V
±
15
±
34
45
60
65
±
30
±
59
±
60
±
89
毫伏(最大)
毫伏(最大)
µA
I
RMIN
最小工作
当前
平均反向
击穿电压
温度
系数(注6 )
I
R
= 10毫安
I
R
= 1毫安
I
R
= 100 µA
65
70
65
70
μA(最大值)
μA(最大值)
PPM /°C的
∆V
R
/∆T
±
20
±
15
±
15
0.4
0.8
1.1
2.7
6.0
9.0
0.4
0.9
35
1.2
1.2
8.0
11.0
8.0
11.0
1.1
1.3
1.1
1.3
±
100
±
150
±
150
PPM / C (最大值)
PPM /°C的
mV
毫伏(最大)
毫伏(最大)
mV
毫伏(最大)
毫伏(最大)
Ω (最大值)
µV
RMS
∆V
R
/∆I
R
反向击穿我
RMIN
I
R
1毫安
电压的变化与
工作电流
变化
1毫安
I
R
15毫安
Z
R
e
N
∆V
R
反向动态
阻抗
宽带噪声
I
R
= 1毫安, F = 120赫兹
I
AC
= 0.1 I
R
I
R
= 100 µA
10赫兹
f
10千赫
反向击穿T = 1000小时
电压长周期T = 25°C
±
0.1˚C
稳定性
I
R
= 100 µA
热滞
∆T
= -40 ° C至+ 125°C
120
PPM
V
HYST
0.08
%
LM4040-3.0
电气特性(扩展级温度范围)
黑体字限额适用于对于T
A
= T
J
= T
给T
最大
;
所有其他限制牛逼
A
= T
J
= 25°C 。该等级C,D和E的初始候
反向击穿电压公差
±
0.5%,
±
为1.0%和
±
2.0 %之间。
符号
参数
条件
典型
3.000
LM4040CEM3 LM4040DEM3 LM4040EEM3
范围
范围
范围
单位
(限)
V
V
R
反向击穿我
R
= 100 µA
电压
反向击穿我
R
= 100 µA
电压
公差(注6 )
±
15
±
45
47
62
70
±
30
±
75
±
60
±
105
毫伏(最大)
毫伏(最大)
µA
I
RMIN
最小工作
当前
67
75
67
75
μA(最大值)
μA(最大值)
11
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