绝对最大额定值
（注6,8）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
正电源电压
负电源电压
峰值输出电流
差分输入电压
输入电压
ESD容差（注9 ）
工作温度范围
LM160
LM360
+8V
−8V
20毫安
±
5V
+
V
≥
V
IN
≥
V
−
1600V
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
存储温度范围
-65 ° C至+ 150°C
焊接温度
（焊接， 10秒）
260˚C
焊接信息
双列直插式封装
焊接（ 10秒）
260˚C
小外形封装
气相（60秒）
215˚C
红外（15秒）
220˚C
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
对产品可靠性“焊接等方法
表面贴装器件。
电气特性
(T
民
≤
T
A
≤
T
最大
)
参数
工作条件
电源电压V
CC+
电源电压V
CC
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
输出电阻（无论是输出）
响应时间
V
OUT
= V
OH
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
5V （注2,7）
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
5V（注3,7）
T
A
= 25 ° C，V
S
=
±
5V （注4,7）
T
A
= 25 （注2,7）
T
A
= 25 （注2,7）
T
A
= 25 （注2,7）
T
A
= 25 （注2,7）
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
R
S
= 50Ω
−
条件
民
4.5
−4.5
典型值
5
−5
2
0.5
5
100
13
12
14
2
2
2
2
17
3
8
7
最大
6.5
−6.5
5
3
20
25
20
单位
V
V
mV
µA
µA
Ω
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
kΩ
pF
μV/°C
NA / ℃，
V
V
V
R
S
≤
200Ω
输出之间的响应时间差
(t
pd
的+ V
IN1
) − (t
pd
-V的
IN2
)
(t
pd
的+ V
IN2
) − (t
pd
-V的
IN1
)
(t
pd
的+ V
IN1
) − (t
pd
的+ V
IN2
)
(t
pd
-V的
IN1
) − (t
pd
-V的
IN2
)
输入阻抗
输入电容
平均温度系数
输入失调电压
平均温度系数
输入失调电流
共模输入电压范围
迪FF erential输入电压范围
输出高电压（无论是输出）
输出低电压（无论是输出）
正电源电流
负电源电流
I
OUT
= -320 μA ，V
S
=
±
4.5V
I
SINK
= 6.4毫安
V
S
=
±
6.5V
V
S
=
±
6.5V
V
S
=
±
6.5V
±
4
±
5
2.4
±
4.5
3
0.25
18
−9
0.4
32
−16
V
mA
mA
注2 ：
测定从30 MVP - 对10MHz的正弦波输入到输出的50％点的50％点的响应时间。
注3 ：
测定从2 Vp-p的10MHz的正弦波输入到输出的50％的点的50％的点的响应时间。
注4 ：
从5 mV过驱至当输出穿越逻辑阈值的时间为100 mV输入步骤的开始测量的响应时间。
注5 ：
典型的热阻抗如下：
腔DIP （J ） ：
成型DIP （N ） ：
θ
jA
θ
jA
135˚C/W
130˚C/W
θ
jC
报头（H ）
θ
jA
165˚C/W
67˚C/W
25˚C/W
（静止空气中）
（ 400 LF /最小空气流量）
注6 ：
如果使用超过最大额定值的设备可能被损坏。
注7 ：
测量交流测试电路，扇出= 1取得
注8 ：
参阅RETS 160X为LM160H ， LM160J -14和LM160J军用规格。
www.national.com
2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
