LM35
电气特性
（注1,6 ）
LM35
参数
条件
典型
精度，
LM35 ， LM35C
（注7 ）
精度， LM35D
（注7 ）
非线性
（注8）
传感器增益
（平均坡度）
负载调整率
（注3 ） 0≤I
L
≤1
mA
线路调整
（注3）
静态电流
（注9 ）
T
A
=+25˚C
T
民
≤T
A
≤T
最大
T
A
=+25˚C
4V≤V
S
≤30V
V
S
= + 5V ， + 25°C
V
S
=+5V
V
S
= + 30V ， + 25°C
V
S
=+30V
变化
静态电流
（注3）
温度
对COEF网络cient
静态电流
最低气温
额定精度
长期稳定性
中的电路
+1.5
+2.0
+1.5
+2.0
˚C
˚C
+0.39
+0.7
+0.39
+0.7
μA /°C的
4V≤V
S
≤30V,
+25˚C
4V≤V
S
≤30V
T
民
≤T
A
≤T
最大
+10.0
+9.8,
+10.2
+10.0
+9.8,
+10.2
毫伏/°C的
毫伏/毫安
T
A
=+25˚C
T
A
=−10˚C
T
A
=T
最大
T
A
=T
民
T
A
=+25˚C
T
A
=T
最大
T
A
=T
民
T
民
≤T
A
≤T
最大
经过测试
极限
（注4 ）
设计
极限
（注5 ）
典型
LM35C ， LM35D
经过测试
极限
（注4 ）
设计
极限
（注5 ）
˚C
单位
（ MAX 。 ）
±
0.4
±
0.5
±
0.8
±
0.8
±
1.0
±
1.5
±
1.5
±
0.3
±
0.5
±
0.4
±
0.5
±
0.8
±
0.8
±
0.6
±
0.9
±
0.9
±
0.2
±
1.0
±
1.5
±
1.5
±
2.0
±
1.5
±
2.0
±
2.0
±
0.5
˚C
˚C
˚C
˚C
˚C
˚C
˚C
±
0.4
±
0.5
±
0.01
±
0.02
56
105
56.2
105.5
0.2
0.5
±
2.0
±
5.0
±
0.1
±
0.2
80
158
82
161
2.0
3.0
±
0.4
±
0.5
±
0.01
±
0.02
56
91
56.2
91.5
0.2
0.5
±
2.0
±
5.0
±
0.1
±
0.2
80
138
82
141
2.0
3.0
毫伏/毫安
mV / V的
mV / V的
µA
µA
µA
µA
µA
µA
图1中，
I
L
=0
T
J
=T
最大
为
千小时
±
0.08
±
0.08
注1 ：
除非另有说明，这些规范适用于： -55˚C≤T
J
≤+150˚C
为LM35和LM35A ; -40˚≤T
J
≤+110˚C
为LM35C和LM35CA ;和
0˚≤T
J
≤+100˚C
为LM35D 。 V
S
= + 5V直流，我
负载
= 50微安，在所述电路
图2中。
这些规范也适用于+ 2℃至T
最大
中的电路
图1 。
规格
粗体
适用于整个额定温度范围内。
注2 ：
在TO- 46封装的热阻为40℃ / W ，结到环境，以及24C / W结到外壳。在TO- 92封装的热阻
180C / W结到环境。小外形模压封装的热阻为220℃ / W结到环境。在TO- 220封装的热阻
为90℃ / W结到环境。有关更多的热阻信息，请参阅在应用程序部分表。
注3 ：
规的测量是在结温恒定，使用脉冲试验在低占空比。热效应引起的变化的输出可以是
通过将热电阻乘以内部耗散计算。
注4 ：
测试的限制，并保证100 ％生产测试。
注5 ：
设计极限，保证（但不是100 ％生产测试）在指定的温度和电源电压范围。这些限制不用于
计算出厂质量水平。
注6 ：
规格
粗体
适用于整个额定温度范围内。
注7 ：
精度定义为输出电压和10mv的/ C倍的设备的情况下，温度之间的误差，在电压的规定的条件下，电流，
和温度（以℃表示） 。
注8 ：
非线性被定义为输出电压与温度曲线的最佳拟合直线的偏差，在器件的额定温度
范围内。
注9 ：
静态电流中的电路定义
图1 。
注10 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。操作时，直流和交流电气规格不适用
该装置超过其额定工作条件。见注1 。
注11 ：
人体模型， 100pF的放电通过1.5 kΩ电阻。
注12 ：
见AN- 450“表面贴装方法及其对产品可靠性的影响”或标题为“表面贴装”在当前国家发现
安森美半导体的线性数据手册焊接面的其他方法安装设备。
www.national.com
4
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
