LM3525
功能说明
该LM3525 - H和LM3525 -L高边P沟道
开关，高电平有效和低电平有效使能输入，再
spectively 。故障条件下关闭和抑制导通的
输出晶体管和激活的漏极开路错误标志转录
体管下沉到地面的电流。
输入和输出
IN （输入）是电源连接到控制税务局局长
cuitry和输出MOSFET的源极。
OUT （输出）是输出MOSFET的漏极。在一个典型的
应用电路中，电流流过，从IN的开关，以
输出到负载。
如果V
OUT
大于V
IN
当开关启动，电流
租金将从OUT流向IN ，因为MOSFET是双向
tional 。
热关断
LM3525内部免受过大的权力解散
sipation 。在输出短路或在重负载的情况下那
能提高模具温度高于约
135℃的LM3525的热关断电路将
激活和功率开关关断。
开关管芯温度下降10℃后接通。
这个内置的温度迟滞可防止骨质不可取
热保护电路的cillation并允许DE-
副自行复位后冷却下来。
欠压锁定
UVLO保护MOSFET的开关从开启到IN-
放电压超过1.9V 。
UVLO关断MOSFET开关和信号故障标志
如果输入电压低于1.8V 。 UVLO功能，只有当
设备被使能。
电流限制
电流限制电路设计以保护系统
供给时，MOSFET开关和从损坏的负荷
造成过大的电流。电流限制阈值
内部设置，以允许通过所述至少500mA的
MOSFET的，但限制最大电流，以1.0A的典型。
故障标志
故障标志是一个开漏输出可下沉
10毫安负载电流典型值为60 mV的地上。
故障标志有效（拉低）时，以下任一
条件存在：欠压，过流保护，或热敏
发作停止。
1ms的延迟报告故障情况下防止误
故障标志，并省去了外部RC网络的延迟
工作。
在选择一个铁氧体磁珠，所使用的导线的直流电阻
必须保持最小，以减小电压降。
一个0.01μF陶瓷电容建议每个端口上
直接在V之间
公共汽车
和接地引脚，以防止电磁干扰
分离 - 热过程中，其他部件的损坏。
足够的电容必须连接到的输入
装置中热插拔事件限制输入电压下降
以低于330毫伏。为几十微秒，则主机必须支持
帘布层的浪涌电流的周边，充电其散装钙
pacitance到V
公共汽车
。这个电流是由在 - 最初提供
把电容。一个33 μF 16V的钽电容
推荐使用。
在选择电容，特别要注意以
的等效串联电阻， ESR的电容，以
最大限度地降低了电容的ESR的IR压降。
软启动
消除因高上游电压跌落
浪涌电流绘制由输出电容器，浪涌
目前的内部限制为1.0A 。
瞬态过流延时
在USB应用，则要求输出大电容
距离受到用于支持热插拔事件。在热插拔
事件，浪涌电流也可引起该标志去激活。
因为在这些条件是无效的过电流故障，则
USB控制器必须在这些事件忽略该标志。
当开关是恩高瞬态电流，也产生
电容在输出端体健和大的值必须
可以快速充电。创建可以EX-浪涌电流
CEED器件的短路电流限制阈
迫使它进入限流模式。该电容器是
充电以最大可用短路电流集
由LM3525 。浪涌电流的持续时间取决于
在输出电容和负载电流的大小。自
这不是一个有效的故障情况下， LM3525延迟gen-
关合作的故障标志为1毫秒。如果问题仍然存在，由于
其他原因，如一个短，一个故障标志之后产生
1 ms的延时已经结束。
该LM3525的1毫秒延迟发出故障标志是足够的
于大多数应用。如果再延迟是必需的，一个RC滤波器
之三，如图
图1
可被使用。
DS101055-24
图1.瞬态钳工
PCB布线注意事项
为了满足USB要求的电压降，
下垂和EMI ，在该电路中使用的每个组分必须是
评价其对电路性能的贡献
所示
图2中。
PCB布局布线规则及指引
必须遵循。
应用信息
筛选
USB规范指出，“不低于120 μF
钽电容器“必须在每个输出中使用
下行端口。该大容量电容提供
热插件的过程中所需要的短期瞬态电流。
引起的向下的输入电容的电流浪涌
流装置可以产生不良的电磁干扰信号。 Fer-
在系列的所有电源线和接地线仪式珠市盈率
ommended消除或显著降低EMI。
•
将交换机尽量靠近USB连接器POS-
sible 。保留所有V
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迹线尽可能短，并利用在
至少50万，为1盎司铜为所有V
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痕迹。焊接
电镀的痕迹会降低走线电阻。
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