LM3485
设计信息
滞环控制是一个简单的控制方案。然而，
工作频率和其他性能特征
高度依赖于外部条件和组件。如果
无论是电感，输出电容， ESR ，V
IN
或者是CFF
变化，就会有在操作频率的变化
和输出纹波。最好的办法是，以确定哪些
工作频率是理想的应用程序，然后
开始与电感器和C的选择
OUT
ESR 。
电感的选择（ L1 ）
对于电感器的重要参数是电感
tance和电流额定值。该LM3485工作在
宽的频率范围，并且可以使用一个宽范围的电感
tance值。一个好的经验法则是使用公式
®
采用美国国家半导体的
简单切换器
。根据上面的公式
电感纹波（ ΔI ），为输出电流的函数（余
OUT
）为：
对于我
OUT
＆ LT ;
2.0Amps
∆i ≤
I
OUT
*
0.386827
*
I
out−0.366726
对于我
OUT
＆ GT ;
2.0Amps
∆i ≤
I
OUT
*
0.3
电感可以基于所期望的计算
工作频率其中：
输入电容的功耗可被计算为
如下。
P
D（ CIN ）
= I
RMS_CIN2
*
ESR
CIN
和
输入电容必须能够处理RMS电流
和P
D
。几个输入电容可以在连接
平行处理大量RMS电流。在某些情况下，它可能
便宜很多使用比多个电解电容
一个单一的低ESR ，高性能电容器等
OS- CON电容或钽电容。的电容值应是
选择的，使得由充电的脉动电压产生
和电容的放电是小于10％
总的纹波电容两端。
编程电流限制（R
ADJ
)
电流限制通过连接一个电阻来确定
(R
ADJ
）输入电压和ADJ引脚之间。
R
ADJ
= I
IND_PEAK
*
R
DSON
/I
CL_ADJ
电感值和所得到的脉动中的一个
关键参数控制的工作频率。第二个
是的ESR 。
输出电容的选择（C
OUT
)
输出电容倍电感纹波的ESR
电流等于所述稳压器的输出纹波。然而
以往，在V
HYST
设置此波动的一阶值。如
ESR的增加与给定的电感，则操作
频率也增加。如果ESR的减小则
工作频率降低。
使用陶瓷电容器已成为一种普遍DE-
陛下许多电源设计。然而，陶瓷
电容器具有非常低的ESR导致90˚相移
器的输出电压纹波。这导致低的工作
频率和增加输出纹波。要解决这个问题
低值电阻器应串联添加与陶瓷
输出电容器。虽然计数器直观的，这样的组合
一个陶瓷电容器和外部串联电阻的提供
高度准确地控制输出电压纹波。该
其它类型的电容器，如三洋POS CAP和
其中：
R
DSON
：漏源外部PFET的阻力
I
CL_ADJ
： 5.5μA典型
I
IND_PEAK
= I
负载
+ I
纹波
/2
续流二极管的选择（D1 ）
为续流二极管的重要参数是峰值
电流，峰值反向电压，以及平均功率
耗散。平均电流通过二极管可以是
按下式计算。
I
D_AVE
= I
OUT
*
(1 − D)
整个续流二极管关断态电压约为
等于输入电压。峰值反向电压额定值
必须大于输入电压。在几乎所有情况下，
肖特基二极管建议。在低输出电压的应用程序
阳离子低正向电压提供了改进的效率。
用于高温应用，二极管的漏电流
可能变得显著和要求较高的反向电压
等级来实现可接受的性能。
OS- CON ，松下SP CAP ，尼吉康“NA”系列，也
推荐的和无需额外的系列，可以使用
性。
对于所有的实际目的，任何类型的输出电容器的可
可以使用适当的电路验证。
输入电容的选择（C
IN
)
旁路电容是必需的输入源之间
地面上。它必须靠近外部的源极引脚
PFET 。输入电容可以防止大的电压瞬变
在输入端和提供瞬时电流时的
PFET导通。
为输入电容器的重要参数是
额定电压和RMS电流额定值。按照制造
商推荐的电压降额。对于高投入
施加电压，低ESR的电解电容器，所述Nichi-
CON “ UD ”系列或松下“ FK ”系列，是可用的。
电流在输入电容器RMS可以被计算。
其中，D为占空比和V
D
是二极管的正向
电压。
电感器在额定以下几点：
IPK = （IOUT + ΔI / 2 ）
*
1.1
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12
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
