绝对最大额定值
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
（注6 ）
电源电压
功率耗散（注1 ）
输入电压（注2 ）
输出短路持续时间（注3 ）
工作温度范围
LM110
LM210
LM310
g
18V
存储温度范围
引线温度（焊接10秒）
焊接信息
双列直插式封装
焊接（ 10秒）
小外形封装
气相（ 60秒）
红外（ 15秒）
b
65℃，以
a
150 C
260 C
260 C
215 C
220 C
500毫瓦
g
15V
不定
b
55 ℃〜
a
125 C
b
25 ℃〜
a
85 C
0 ℃〜
a
70 C
见AN- 450 '表面贴装方法及其影响
对产品可靠性'焊接外加其他方法
面对安装设备
ESD额定值待确定
电气特性
（注4 ）
参数
输入失调电压
输入偏置电流
输入阻抗
输入电容
大信号电压牛逼
A
e
25℃ V
S
e
g
15V
收益
V
OUT
e
g
10V ř
L
e
8的kX
输出电阻
电源电流
输入失调电压
失调电压
温度漂移
输入偏置电流
大信号电压V
S
e
g
15V V
OUT
e
g
10V
收益
R
L
e
10的kX
输出电压
摆动（注5 ）
电源电流
电源电压
抑制比
V
S
e
g
15V ř
L
e
10的kX
T
A
e
125 C
g
5V
s
V
S
s克
18V
条件
民
T
A
e
25 C
T
A
e
25 C
T
A
e
25 C
10
10
LM110
典型值
15
10
10
12
15
0 999 0 9999
0 75
39
25
55
60
最大
40
30
10
10
民
LM210
典型值
15
10
10
12
15
0 999 0 9999
0 75
39
25
55
60
6
最大
40
30
10
10
民
LM310
典型值
25
20
10
12
15
0 999 0 9999
0 75
39
25
55
10
最大
75
70
单位
mV
nA
X
pF
V V
X
mA
mV
mV
C
mV
C
mV
C
10
nA
V V
V
mA
T
A
e
25 C
T
A
e
25 C
b
55 C
s
T
A
s
a
85 C
a
85
s
T
A
s
125 C
0 C
s
T
A
s
a
70 C
6
12
10
0 999
g
10
10
10
0 999
g
10
0 999
g
10
20
70
80
40
70
20
80
40
70
80
dB
注1
该LM110的最高结温为LM210的150℃ 100 ℃， LM310是85℃ ，在高温下工作
在HO8封装的器件必须基于165的CW结的到环境的热阻或22的CW结降级到外壳的热阻
双列直插式封装的是100的CW结点到环境
注2
对于电源电压低于
g
15V的绝对最大输入电压等于电源电压
注3
连续短路的LM110和LM210被允许的情况下的温度以125℃的温度和环境温度至70℃并在LM310 70℃
情况下或55℃环境温度下它必须插入一个电阻大于2的kX更大串联在输入时放大器从低驱动
阻抗信号源，以防止损坏时的输出为短路ř
S
e
5K分钟10K典型的被推荐用于动态稳定性在所有应用
注4
这些规范适用于
g
5V
s
V
S
s克
18V和
b
55 C
s
T
A
125℃的LM110
b
25 C
s
T
A
s
85℃的LM210和0℃
s
T
A
s
70℃下
除非另有说明，在LM310
注5
在负载增加输出摆幅可以通过连接升压和V之间的外部电阻器来获得
注6
请参阅RETS110X为LM110H LM110J军事规格
b
终端见曲线
应用提示
输入必须从通常10的kX （5的kX分钟）的源阻抗被驱动，以保持稳定的总源
阻抗将减小在高频率，如果有在输入引脚在这些情况下有10的kX电阻的寄生电容
应插入串联在输入物理上接近输入引脚以最小化寄生电容，防止
振荡
2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
