绝对最大额定值
(T
A
e
25 C)
如果是用于军事航空领域的专用设备，需要请向美国国家半导体销售办事处
经销商咨询具体可用性和规格
LM3045
LM3046 LM3086
每
总
每
总
单位
晶体管
包
晶体管
包
功耗
T
A
e
25 C
300
750
300
750
mW
T
A
e
25℃至55℃
300
750
mW
T
A
l
55 C
减额在6 67
毫瓦ç
T
A
e
25℃到75℃
300
750
mW
T
A
l
75 C
减额在8
毫瓦ç
集电极到发射极电压V
首席执行官
15
15
V
集电极基极电压V
CBO
20
20
V
集电极衬底电压V
CIO
（注1 ）
20
20
V
5
5
V
发射器基极电压V
EBO
50
50
mA
集电极电流I
C
b
55 ℃〜
a
125 C
b
40℃
a
85 C
工作温度范围
b
65℃，以
a
150 C
b
65℃，以
a
85 C
存储温度范围
焊接信息
双列直插式封装焊接（10秒）
260 C
260 C
小外形封装
气相（60秒）
215 C
红外（15秒）
220 C
见AN- 450 '表面贴装方法及其对产品可靠性的影响“”焊接表面的其他安装方法
器件
电气特性
(T
A
e
25℃除非另有规定）
范围
参数
集电极基极击穿电压（V
（ BR ） CBO
)
集电极到发射极击穿电压（V
（ BR ） CEO
)
集电极击穿底
电压（V
（ BR ）首席信息官
)
发射器基极击穿电压（V
（ BR ） EBO
)
集电极截止电流（I
CBO
)
集电极截止电流（I
首席执行官
)
静态正向电流传输
率（静态测试） （H
FE
)
条件
I
C
e
10
mA
I
E
e
0
I
C
e
1毫安我
B
e
0
I
C
e
10
mA
I
CI
e
0
I
E
10
mA
I
C
e
0
V
CB
e
10V我
E
e
0
V
CE
e
10V我
B
e
0
V
CE
e
3V
I
C
e
10毫安
I
C
e
1毫安
I
C
e
10
mA
40
LM3045 LM3046
民
20
15
20
5
典型值
60
24
60
7
0 002
100
100
54
03
0 715
0 800
0 45
0 45
V
CE
e
3V I
C
e
1毫安
b
1 9
b
1 9
范围
LM3086
民
20
15
20
5
40
05
100
40
100
54
2
0 715
0 800
5
5
mA
V
mV
mV
典型值
60
24
60
7
0 002
100
5
最大
V
V
V
V
nA
mA
单位
最大
输入失调电流的匹配
对Q
1
和Q
2
l
I
O1
b
I
IO2
l
基地发射极电压（V
BE
)
输入的幅度偏置电压
差分对
l
V
BE1
b
V
BE2
l
输入的幅度偏置电压隔离
晶体管
l
V
BE3
b
V
BE4
l l
V
BE4
b
V
BE5
l
l
V
BE5
b
V
BE3
l
基地的温度系数为
发射极电压
DV
BE
DT
集电极到发射极饱和电压（V
CE （ SAT ）
)
V
CE
e
3V I
C
e
1毫安
V
CE
e
3V
I
E
e
1毫安
I
E
e
10毫安
V
CE
e
3V I
C
e
1毫安
V
CE
e
3V I
C
e
1毫安
J
毫伏ç
V
mV
C
I
B
e
1毫安我
C
e
10毫安
V
CE
e
3V I
C
e
1毫安
0 23
11
0 23
温度COEF网络cient
输入失调电压
DV
10
DT
注1
的LM3045 LM3046和LM3086的每个晶体管的集电极与基片分离的一个组成二极管基板（端子13）的绝
被连接到最负点在外围电路的晶体管之间保持隔离，以提供正常晶体管动作
J
2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
