绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
输入电压（电压生存，
≤
100毫秒）
LM2941T ， LM2941S
60V
LM2941CT ， LM2941CS
45V
内部功率耗散（注3 ）
内部限制
最高结温
150˚C
存储温度范围
−65˚C
≤
T
J
≤
+150˚C
焊接温度
（焊接， 10秒）
TO- 220 （ T）包
260˚C
TO- 263 （ S）包
待确定ESD敏感度。
260˚C
工作额定值
最大输入电压
温度范围
LM2941T
LM2941CT
LM2941S
LM2941CS
LM2941J
LM2941WG
26V
−40˚C
0˚C
−40˚C
0˚C
−55˚C
−55˚C
≤
≤
≤
≤
≤
≤
T
J
T
J
T
J
T
J
T
J
T
J
≤
≤
≤
≤
≤
≤
125˚C
125˚C
125˚C
125˚C
125˚C
125˚C
电气特性 - LM2941T ， LM2941S ， LM2941J ， LM2941WG
5V
≤
V
O
≤
20V, V
IN
= V
O
+ 5V ，C
O
= 22 F ，除非另有规定。规格标准字体应用对于T
J
=
25°C，而在
黑体字
适用于整个
工作温度范围。
参数
参考电压
线路调整
负载调整率
输出阻抗
静态电流
RMS输出噪声，
％V的
OUT
纹波抑制
长期稳定性
输入输出电压差
短路电流
最大线
短暂
最大工作
输入电压
反极性直流
输入电压
反接
瞬态输入
电压
开/关阈值
电压
开/关阈值
电压OFF
开/关阈值
当前
R
O
= 100Ω, V
O
≥
−0.6V
T
≤
100毫秒，R
O
= 100Ω
−75
I
O
≤
1A
I
O
≤
1A
V
开/关
= 2.0V ，我
O
≤
1A
1.30
1.30
−50/−50
0.80/0.80
2.00/2.00
−50/−50
0.80/0.80
2.00/2.00
V（分钟）
V（最大值）
V（分钟）
I
O
= 1A
I
O
= 100毫安
V
IN
最大= 26V （注7 ）
V
O
最大1V以上标称V
O
R
O
= 100Ω, T
≤
100毫秒
条件
5毫安
≤
I
O
≤
1A （注6 ）
V
O
+ 2V
≤
V
IN
≤
26V ，我
O
= 5毫安
典型值
1.275
4
7
7
10
30
0.003
0.005
0.4
0.5
110
1.9
75
0.8/1.0
200/200
1.6/1.3
60/60
0.8/1.0
200/200
1.6
60/60
0.02/0.04
0.02/0.04
15/20
45/60
15/20
45/60
LM2941J
LM2941WG
极限
（注2 ） （注4 ）
1.237/1.211
1.313/1.339
10/10
10/10
50毫安
≤
I
O
≤
1A
100 MADC和20 mArms的
f
O
= 120赫兹
V
O
+ 2V
≤
V
IN
＆ LT ;
26V ，我
O
= 5毫安
V
IN
= V
O
+ 5V ，我
O
= 1A
10 Hz至100 kHz的
I
O
= 5毫安
f
O
= 120赫兹， 1 Vrms的，我
L
= 100毫安
LM2941T
LM2941S
极限
（注5 ）
1.237/1.211
1.313/1.339
10/10
10/10
单位
（限量）
V（分钟）
V（最大值）
毫伏/ V （最大值）
毫伏/ V （最大值）
毫欧/ V
毫安（最大）
毫安（最大）
%
％/ V （最大值）
％ / 1000人才招聘
V（最大值）
毫伏（最大）
A（分钟）
V（分钟）
31
−30
26/26
−15/−15
26/26
−15/−15
V
DC
V（分钟）
50
100/300
100/300
μA（最大值）
www.national.com
2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
