LM2903EP
绝对最大额定值
如果是用于军事/航空专用设备，请向美国国家半导体销售办事处/经销商
具体可用性和规格。
电源电压，V
+
36V
存储温度范围
-65 ° C至+ 150°C
焊接信息
差分输入电压（注
36V
双列直插式封装
输入电压
-0.3V至+ 36V
焊接（ 10秒）
260°C
输入电流（V
IN
<-0.3V ）（注
7)
50毫安
小外形封装
215°C
功率耗散（注
气相（60秒）
模压DIP
780毫瓦
红外（15秒）
220°C
小外形封装
510毫瓦
ESD额定值
输出短路到接地
1300V
（ 1.5 kΩ的串联100 pF的）
连续
“ （注
工作温度范围
-40 ° C至+ 85°C
条件
民
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入共模
电压范围
电源电流
电压增益
大信号响应
时间
响应时间
输出灌电流
饱和电压
输出漏电流
I
IN
（ + ）或I
IN
（ - ）与产出
线性范围，V
CM
= 0V （注
9)
I
IN
(+)−I
IN
(−) V
CM
= 0V
V + = 30V （注
R
L
=
∞
V
+
=5V
V
+
=36V
R
L
≥
15千欧，V
+
=15V
V
O
= 1V至11V
V
IN
= TTL逻辑摆幅，V
REF
=1.4V
V
RL
= 5V ，R
L
=5.1 kΩ
V
RL
= 5V ，R
L
=5.1 kΩ
V
IN
(−)=1V, V
IN
(+)=0, V
O
≤
1.5V
V
IN
(−)=1V, V
IN
(+)=0, I
SINK
≤
4毫安
V
IN
(−)=0, V
IN
(+)=1V, V
O
=5V
条件
民
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
I
IN （+）
−I
IN （ - ）
, V
CM
=0V
I
IN
（ + ）或I
IN
（ - ）与输出的线性范围，
V
CM
=0V
9)
V
+
= 30V （注
V
IN
(−)=1V, V
IN
(+)=0,
I
SINK
≤
4毫安
输出漏电流
差分输入电压
V
IN
(−)=0, V
IN （+）
=1V, V
O
=30V
保留所有V
IN
's
≥
0V （或V
−
如果使用），（注
0
400
LM2903
典型值
9
50
200
最大
15
200
500
mV
nA
nA
单位
6.0
1.5
16
250
0.1
400
μs
mA
mV
nA
300
ns
25
0
0.4
1
100
5.0
50
V+−1.5
1.0
2.5
nA
V
mA
mA
V / MV
LM2903
典型值
2.0
25
最大
7.0
250
mV
nA
单位
电气特性
(V
+
= 5V ，T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
电气特性
(V+ = 5V)
参数
输入共模电压范围
饱和电压
V
+
−2.0
700
1.0
36
V
mV
μA
V
3
201141第3版修订版1
打印日期/时间： 2009年9月29日16时01分39秒
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
