LM139/LM239/LM339/LM2901/LM3302
绝对最大额定值
（注13 ）
如果是用于军事/航空专用设备，请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
LM139/LM239/LM339
LM139A/LM239A/LM339A
LM2901
36 V
DC
or
±
18 V
DC
36 V
DC
−0.3 V
DC
至+36 V
DC
LM3302
28 V
DC
or
±
14 V
DC
电源电压，V
+
差分输入电压（注11 ）
28 V
DC
输入电压
−0.3 V
DC
至+28 V
DC
输入电流（V
IN
＆ LT ;
−0.3 V
DC
),
（注6 ）
50毫安
50毫安
功率耗散（注4 ）
模压DIP
1050毫瓦
1050毫瓦
腔DIP
1190毫瓦
小外形封装
760毫瓦
输出短路至GND ，
（注5 ）
连续
连续
存储温度范围
-65 ° C至+ 150°C
-65 ° C至+ 150°C
焊接温度
（焊接， 10秒）
260˚C
260˚C
工作温度范围
-40 ° C至+ 85°C
LM339/LM339A
0 ° C至+ 70°C
LM239/LM239A
-25 ° C至+ 85°C
LM2901
-40 ° C至+ 85°C
LM139/LM139A
-55 ° C至+ 125°C
焊接信息
双列直插式封装
焊接（ 10秒）
260˚C
260˚C
小外形封装
气相（60秒）
215˚C
215˚C
红外（15秒）
220˚C
220˚C
见AN- 450“表面贴装方法及其对产品可靠性的影响”焊接表面的其他安装方法
设备。
ESD额定值（ 1.5 kΩ的串联100 pF的）
600V
600V
电气特性
(V
+
= 5 V
DC
, T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入共模
电压范围
电源电流
（注12 ）
I
IN （+）
还是我
IN （ - ）
与产量
线性范围宽， （注8 ） ，V
CM
= 0V
I
IN （+）
−I
IN （ - ）
, V
CM
= 0V
V
+
= 30 V
DC
(LM3302,
V
+
= 28 V
DC
） （注9 ）
R
L
=
∞
所有的比较器，
36V,
（ LM3302 ，V
+
= 28 V
DC
)
R
L
≥15
千欧，V
+
= 15 V
DC
V
o
= 1 V
DC
至11 V
DC
V
IN
= TTL逻辑摆幅，V
REF
=
1.4 V
DC
, V
RL
= 5 V
DC
,
R
L
= 5.1 kΩ
V
RL
= 5 V
DC
, R
L
= 5.1 kΩ,
（注10 ）
3
www.national.com
条件
LM139A
最小值典型值
1.0
25
3.0
0
0.8
最大
2.0
100
25
V
+
−1.5
2.0
LM239A ， LM339A
民
典型值
1.0
25
5.0
0
0.8
1.0
最大
2.0
250
50
V
+
−1.5
2.0
2.5
0
LM139
最小值典型值
2.0
25
3.0
最大
5.0
100
25
V
+
−1.5
0.8
1.0
50 200
300
2.0
2.5
单位
mV
DC
nA
DC
nA
DC
V
DC
mA
DC
mA
DC
V / MV
ns
R
L
=
∞
, V
+
=
电压增益
大信号
响应时间
响应时间
50 200
300
50
200
300
1.3
1.3
1.3
µs
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
