应用提示
（续）
在这个例子中ê
•
T被认为是：
运用
图6中，
27V的交点
•
μS水平和
在图2A的垂直线（我
负载
最大值）表示L38 ，一个68μH IN-
导体，应使用。
从表1 ， L38在表面安装部件可
从部件号PE- 54038S脉冲工程。
步骤4：
使用表6中，以确定一个输出电容器。有
14.8V输出12.5至15V的行用来和用68μH IN-
导体有三个表面贴装输出电容器解决方案
系统蒸发散。表2提供了实际的电容器特性
基于C代码。任何下列选项
可以使用：
1个33μF / 20V AVX TPS （代号C6 ）
1个47μF / 20V的Sprague 594 （代号C8 ）
1个47μF / 20V Kemet的T495 （代号C8 ）
重要注意事项：
当使用低可调装置
电压应用（小于3V输出），若共线，
图6中，选择22μH或更小的电感，表6不
不提供输出电容器的解决方案。有了这些条件
系统蒸发散所需的稳定OP-输出电容器的数目
关合作变得不切实际。它建议使用EI-
THER一个33μH或47μH电感器，并从输出电容
表6 。
步骤5：
输入电容器在这个例子中，需要在
至少35V WV评级的RMS 1A的额定电流（1/2
电流输出最大值）。从表2中可以看出， C 12 ，一个33μF / 35V
从斯普拉格电容，具有所需要的电压/额定电流应
ING表面贴装元件。
步骤6：
从表5中一个3A肖特基二极管必须选择。
用于表面安装的二极管与安全上的电压的余量
年龄等级的5二极管1可以使用：
SK34
30BQ040
30WQ04F
MBRS340
MBRD340
步骤7：
一个0.01μF的电容将被用于CBOOST 。
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NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
