LM2660/LM2661
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V +至GND或GND为OUT）
6V
LV
（ OUT - 0.3V ）至（ GND + 3V ）
FC ， OSC
最小负（ OUT - 0.3V ）
或（V + - 6V）至（V + + 0.3V ）
V +和OUT连续输出电流
120毫安
输出短路持续时间至GND （注2 ）
1秒。
M
功耗
(T
A
= 25℃ ）（注3）
T
J
最大值（注3）
θ
JA
（注3）
工作结
温度
范围
存储温度范围
焊接温度
（焊接， 10秒）
ESD额定值
包
MM
500毫瓦
150˚C
250˚C/W
735毫瓦
150˚C
170˚C/W
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
300˚C
2千伏
电气特性
在标准字体限为T
J
= 25°C ，而在极限
粗体
则适用于整个工作温度范围内。非
少另有规定： V + = 5V ， FC =打开，C
1
= C
2
= 150 μF 。 （注4 ）
符号
V+
参数
电源电压
R
L
= 1k
条件
变频器， LV =打开
变频器， LV = GND
倍， LV = OUT
FC =打开（ LM2660 ）
FC = V + （ LM2660 ）或
SD =接地（ LM2661 ）
民
3.5
1.5
2.5
0.12
1
0.5
关断模式
正常工作
T
A
≤
+ 85C， OUT
≤
−4V
T
A
＆ GT ;
+ 85C， OUT
≤
−3.8V
I
L
= 100毫安
T
A
≤
+85˚C
OSC = OPEN
OSC = OPEN
FC =开
FC = V +
R
L
V之间（ 1K ）
+
AND OUT
R
L
（ 500）的GND和OUT之间
I
L
= 100 mA至GND
V
OEFF
电压转换效率
空载
96
92
99
T
A
＆ GT ;
+85˚C
FC =开
FC = V +
FC =开
FC = V +
I
OSC
P
EFF
OSC输入电流
功率英法fi效率
100
100
6.5
5
40
2.5
20
10
80
5
40
10
12
2.0
（注5 ）
0.3
典型值
最大
5.5
5.5
5.5
0.5
3
2
mA
V
单位
I
Q
电源电流
空载
LV =开
I
SD
V
SD
I
L
R
OUT
f
OSC
f
SW
关断电源电流
(LM2661)
关断引脚输入电压
(LM2661)
输出电流
输出电阻（注6 ）
振荡器频率（注7 ）
开关频率（注8 ）
µA
V
mA
Ω
千赫
千赫
µA
±
2
±
16
98
96
88
99.96
%
%
注1 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。操作设备时的电气规范不适用
超出其额定工作条件。
注2 ：
OUT可能短路到GND一秒而不损坏。然而，短路输出到V + ，可能会损坏设备，应加以避免。此外，对于温
peratures以上85℃时，OUT不能被短路至GND或V +时，或可能导致设备损坏。
注3 ：
最大允许功耗是通过使用P计算
DMAX
= (T
JMAX
− T
A
)/θ
JA
，其中t
JMAX
是最大结温，T
A
为
环境温度，并
θ
JA
是指定包的结点至环境热阻。
注4 ：
在测试电路中，用电容器C
1
和C
2
是0.2Ω最大ESR电容。电容器具有较高的ESR会增加输出电阻，减小输出电压
年龄和效率。
注5 ：
在加倍模式中，当V
OUT
＆ GT ;
5V ，关机最小输入高电平等于V
OUT
− 3V.
注6 ：
指定的输出电阻包括内部开关电阻和电容的ESR 。
注7 ：
为LM2661 ，振荡器的频率是80千赫。
注8 ：
输出开关在一半的振荡频率操作中，f
OSC
= 2f
SW
.
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2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
