LM2469
绝对最大额定值
（注1,3）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压，V
CC
偏置电压，V
BB
输入电压V
IN
存储温度范围，T
英镑
引线温度（焊接，
＆ LT ;
10sec.)
ESD容差，人体模型
+90V
+16V
0V至4.5V
-65 ° C至+ 150°C
300˚C
2kV
经营范围限制
V
CC
V
BB
V
IN
V
OUT
（注2 ）
+ 60V至+ 85V
+ 8V至15V
0V至+ 3.75V
+ 15V至+ 75V
外壳温度
-20 ° C至+ 100°C
无散热器时，请勿操作的一部分。
电气特性
（参见图3测试电路）
除非另有说明： V
CC
= +80V, V
BB
= + 12V ，C
L
=为8pF ，T
C
= 50˚C.
DC测试： V
IN
= + 2.25VDC
AC测试：输出= 40V
PP
（ 25V - 65V ） ，以1MHz
符号
I
CC
I
BB
V
OUT
A
V
∆A
V
LE
t
R
t
F
OS
规格参数
电源电流
偏置电流
直流输出电压
直流电压增益
增益匹配
线性误差
上升时间
下降时间
冲
条件
每通道，无输入信号，无
输出负载
三个通道
没有交流输入信号，V
IN
= 1.25V
没有交流输入信号
注4 ，无交流输入信号
注4 ， 5 ，无交流输入信号
注6中， 10 ％至90％
注6中， 90 ％至10％
注6
62
-18
民
典型值
8
15
65
-20
1.0
5
9.5
10.5
5
最大
12
25
68
-22
dB
%
nS
nS
%
单位
mA
mA
V
DC
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。
注2 ：
工作额定值表明该设备可以工作，但不保证特定的性能极限。为保证规范和
测试环境，请参阅电气特性。保证规格仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能
改变时，该设备未列出的测试条件下操作。
注3 ：
所有电压相对于GND测量，除非另有规定ED 。
注4 ：
计算出的值从每个通道上的电压增益测试。
注5 ：
线性误差是从V直流增益的变化
in
= 1.0伏特至V
in
= 3.5伏。
注6 ：
输入来自信号发生器：吨
R
, t
F
＆ LT ;
1nS.
AC测试电路
DS200006-3
图3.测试电路（单声道）
www.national.com
2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
