工作原理
该LM2435是一款高电压，单片式三通道CRT
驱动程序适合于高分辨率显示的应用程序。该
LM2435工作在80V和12V电源。该
部分被收容在行业标准的9引脚TO -220
模压塑料功率封装。
的LM2435的电路图中示出
图1 。
该
PNP射极跟随器， Q5 ，提供输入缓冲。 Q1和
Q2形成一个固定增益放大器级联与电阻R1和
R2设定增益-14 。射极跟随器Q3和Q4异
共源共栅级，从后期的高输出阻抗
阴极射线管阴极的电容，这降低了
该装置的灵敏度加载电容。 Q6提供了双
ASING到输出射极跟随器级，以减少交叉
在低信号电平失真。
设备到PCB接地是很重要的。这是至关重要的
设备选项卡通过耐热连接到PCB接地
水槽，以消除过量的过冲和振荡。
该LM1279 / 243X （修订版B）的演示板提供了一个好榜样
充足的如何做到这一点。
电源旁路
由于LM2435是一个宽带放大器，适当
电源旁路是获得最佳性能的关键。
不正确的电源旁路可能会导致大过
拍摄时，振铃或振荡。 0.1μF电容应
从电源引脚，V连接
CC
，接地，尽量靠近
电源和接地引脚放置。此外，一个
10 μF至100 μF电解电容应连接
从电源引脚与地之间。电解电容器
也应放在合理地靠近LM2435的
电源和接地引脚。 0.1μF电容应CON
从偏置销，V连接的
BB
，对地，尽可能靠近动脉灌注化疗，
蒂卡尔的一部分。
电弧保护
在正常运行CRT ，内部电弧可能偶尔
盟友发生。火花间隙，在200V的范围内，从连接
在CRT阴极显像管地上会限制最大电压
年龄，而是一个值，该值比允许在高得多的
LM2435 。这种快速，高电压，高能量脉冲可能会损坏
老化的LM2435输出级。所示的应用电路
in
图9
旨在帮助钳位电压的输出
把LM2435的到一个安全水平。钳位二极管D1和
D2中，应该有一个快速的瞬态响应，高的峰值电流
等级，低串联阻抗和低旁路电容。
FDH400或等效二极管建议。不要使用
1N4148二极管的钳位二极管。 D1和D2应当具有
总之，低阻抗连接到V
CC
和地面重
spectively 。 D1的阴极应位于非常接近
到一个单独耦合旁路电容（C3在
图9）。
D2的接地和去耦电容
应该很接近的LM2435地面。这将显
着地降低高频电压瞬变的
LM2435将在一个arcover条件来进行。
电阻R2限制了由二看到arcover电流
颂歌，而R1的电流限制到LM2435以及
的电压应力在该装置的输出。 R2应
一个1 / 2W固体碳型电阻器。 R 1可以是一个1 / 4W金属或
碳膜电阻器型。有大阻值电阻R1为
和R 2将是理想的，但是这具有的效果increas-
荷兰国际集团的上升和下降时间。电感器L1是至关重要的，以减少ini-
TiAl金属高频电压电平，该LM2435会
受。电感，不仅有利于保护DE-
副但是它也将有助于减少上升和下降时间，以及
最大限度地减少EMI。进行适当的电弧防护，重要的是不
遗漏所示的圆弧保护元件
科幻gure
9.
图2
示出了一个典型的测试电路，用于评价
LM2435 。该电路被设计为允许的测试
LM2435在50Ω环境，而不需要使用昂贵的
西伯FET探头。在这个测试电路中，两个低电感电阻
器串联共计4.98 kΩ的形成一个200 ： 1的宽带，低
当连接到一个50Ω的同轴电缆电容探头
和一个50Ω的负载（例如一个50Ω示波器输入）。在 -
把信号从发电机交流耦合到所述基
Q5.
应用提示
介绍
美国国家半导体公司（ NSC ）致力于提供AP-
这帮助我们的客户取得褶皱信息
最佳的性能，从我们的产品。在后续
荷兰国际集团的信息，以支持这个承诺提供
换货。读者应该知道的优化
使用特定的印刷电路板进行性能
在NSC设计。可以实现性能的变化
由于在印刷电路板和所述物理变化
应用程序。因此，设计师应该知道的COM
分量的值的变化，可能需要以优化
表现在一个给定的应用程序。在此示出的值
文档可以作为一个起点，评价陈建
构成。当使用高带宽的电路工作，好lay-
出去的做法也实现最大perfor-关键
曼斯。
重要信息
该LM2435性能定位为SXGA （1280×
1024 ， 75赫兹的刷新）分辨率的市场。该应用程序税务局局长
本文档中cuits ，以优化性能，并
防止从CRT电弧放电损伤的设计
专门为LM2435 。如果的另一名成员
LM243X家庭使用，请参考其数据手册。自
该LM2435是一个高速放大器的连接
www.national.com
4
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
