LF155/LF156/LF256/LF257/LF355/LF356/LF357
绝对最大额定值
如果是用于军事/航空专用设备，请向美国国家半导体销售办事处/经销商
可用性和规格。
LF155/6
电源电压
差分输入电压
输入电压范围（注2 ）
输出短路持续时间
T
JMAX
H-包
N-二PACKAGE
M-包
在T功耗
A
= 25 （注
1, 8)
H-包装（静止空气中）
H-包（ 400 LF /最小空气流量）
N-二PACKAGE
M-包
热电阻（典型值）
θ
JA
H-包装（静止空气中）
H-包（ 400 LF /最小空气流量）
N-二PACKAGE
M-包
（典型值）
θ
JC
H-包
存储温度范围
焊接信息（铅温度。 ）
金属罐包装
焊接（10秒）
双列直插式封装
焊接（10秒）
小外形封装
气相（ 60秒）
红外（15秒）。
215˚C
220˚C
215˚C
220˚C
260˚C
260˚C
260˚C
300˚C
300˚C
300˚C
23˚C/W
-65 ° C至+ 150°C
23˚C/W
-65 ° C至+ 150°C
23˚C/W
-65 ° C至+ 150°C
160˚C/W
65˚C/W
160˚C/W
65˚C/W
130˚C/W
195˚C/W
160˚C/W
65˚C/W
130˚C/W
195˚C/W
560毫瓦
1200毫瓦
400毫瓦
1000毫瓦
670毫瓦
380毫瓦
400毫瓦
1000毫瓦
670毫瓦
380毫瓦
150˚C
115˚C
100˚C
100˚C
115˚C
100˚C
100˚C
LF256/7/LF356B
LF355/6/7
±
22V
±
40V
±
20V
连续
±
22V
±
40V
±
20V
连续
±
18V
±
30V
±
16V
连续
见AN- 450“表面贴装方法及其对产品可靠性的影响”的其他方法
焊接表面贴装器件。
ESD容差
（ 100 pF的通过1.5kΩ上排）
1000V
1000V
1000V
DC电气特性
符号
V
OS
∆V
OS
/∆T
ΔTC / ΔV
OS
I
OS
参数
输入失调电压
输入的平均TC
失调电压
变化的平均TC
随着V
OS
调整
输入失调电流
条件
民
R
S
=50Ω, T
A
=25˚C
过温
R
S
=50Ω
R
S
= 50Ω ， （注4 ）
T
J
= 25 ， （注3,5）
T
J
≤T
高
5
0.5
3
20
20
LF155/6
典型值
3
最大最小
5
7
5
0.5
3
20
1
LF256/7
LF356B
典型值
3
最大最小
5
6.5
5
0.5
3
50
2
LF355/6/7
典型值
3
最大
10
13
mV
mV
μV/°C
μV/°C
每毫伏
pA
nA
单位
www.national.com
2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
