绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
-0.3V至+ 4V
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
输入电压（D
IN
)
-0.3V到（V
CC
+ 0.3V)
使能输入电压（ EN ， EN
*
)
-0.3V至+ 3.9V
输出电压（D
OUT +
, D
OUT-
)
短路持续时间
连续
(D
OUT +
, D
OUT-
)
最大封装功耗
@
+25˚C
男包
1088毫瓦
MTC套餐
866毫瓦
W包装
845毫瓦
减免男包
8.5毫瓦/ C以上+ 25℃
减免MTC套餐
6.9毫瓦/ C以上+ 25℃
减额W包装
6.8毫瓦/ C以上+ 25℃
存储温度范围
铅温度范围
焊接（ 4秒）
最高结温
ESD额定值（注10 ）
（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
-65 ° C至+ 150°C
+260˚C
+150˚C
≥
6千伏
推荐工作
条件
电源电压（V
CC
)
经营自由的空气
温度（T
A
)
产业
军事
民
+3.0
典型值
+3.3
最大
+3.6
单位
V
−40
-55
+25
+25
+85
+125
˚C
˚C
电气特性
在电源电压和工作温度范围，除非另有规定。 （注2，3， 4）
符号
V
OD1
∆V
OD1
参数
差分输出电压
变化的V震级
OD1
对于互补输出
国
失调电压
变化的V震级
OS
为
互补输出国家
输出电压高
输出电压低
输入电压高
输入电压低
输入电流
输入电流
输入钳位电压
输出短路电流
V
IN
V
IN
= V
CC
或2.5V
= GND或0.4V
D
IN
,
EN ，
EN *
0.90
2.0
GND
−10
−10
−1.5
D
OUT-
D
OUT +
条件
R
L
= 100Ω （图
1)
针
D
OUT-
D
OUT +
民
250
典型值
350
4
最大
450
35
单位
mV
|毫伏|
V
OS
∆V
OS
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
CL
I
OS
1.125
1.25
5
1.38
1.03
1.375
25
1.6
V
CC
0.8
V
|毫伏|
V
V
V
V
µA
µA
V
mA
±
1
±
1
−0.8
−6.0
+10
+10
−9.0
I
CL
= -18毫安
使能， （注11 ）
D
IN
= V
CC
, D
OUT +
= 0V或
D
IN
= GND ，D
OUT-
= 0V
启用，V
OD
= 0V
（注11 ）
V
OUT
= 0V或3.6V ，
V
CC
= 0V或开路
EN = 0.8V和EN * = 2.0V
V
OUT
= 0V或V
CC
D
IN
= V
CC
或GND
R
L
= 100Ω所有通道，D
IN
=
V
CC
或GND （所有输入）
D
IN
= V
CC
或GND ，
EN = GND ， EN * = V
CC
V
CC
I
OSD
I
关闭
I
OZ
I
CC
I
CCL
I
CCZ
差分输出短路
当前
关机泄漏
输出三态电流
无负载电源电流驱动器
启用
加载电源电流驱动器
启用
无负载电源电流驱动器
残
−6.0
−20
−10
−9.0
+20
+10
8.0
30
6.0
mA
µA
µA
mA
mA
mA
±
1
±
1
5.0
23
2.6
www.national.com
2
NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
