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    DS90CF386MTD 参数 Datasheet PDF下载

    DS90CF386MTD图片预览
    型号： DS90CF386MTD
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： + 3.3V LVDS接收器24位平板显示器（ FPD ）链路85兆赫， + 3.3V LVDS接收器18位平板显示器（ FPD ）链路85兆赫 [+3.3V LVDS Receiver 24-Bit Flat Panel Display (FPD) Link-85 MHz, +3.3V LVDS Receiver 18-Bit Flat Panel Display (FPD) Link-85 MHz]
    分类和应用： 显示器光电二极管
    文件页数/大小： 16 页 / 402 K
    品牌： NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号DS90CF386MTD的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DS90CF386MTD的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DS90CF386MTD的Datasheet PDF文件第4页浏览型号DS90CF386MTD的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DS90CF386MTD的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DS90CF386MTD的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DS90CF386MTD的Datasheet PDF文件第8页浏览型号DS90CF386MTD的Datasheet PDF文件第9页  
    DS90CF386/DS90CF366
    绝对最大额定值
    （注1 ）
    DS90CF366MTD
    最大功率封装
    散热能力
    @
    25˚C
    SLC64A套餐：
    DS90CF386SLC
    套餐降额：
    DS90CF386SLC
    ESD额定值
    （ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
    （ EIAJ ， 0Ω ， 200 pF的）
    15毫瓦/ C以上+ 25℃
    如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
    请向美国国家半导体销售办事处/
    经销商咨询具体可用性和规格。
    电源电压（V
    CC
    )
    CMOS / TTL输出电压
    LVDS接收器输入电压
    结温
    储存温度
    焊接温度
    （焊接， 4秒， TSSOP ）
    焊锡溢流温度
    （焊接， 20秒， FBGA ）
    最大功率封装
    散热能力
    @
    25˚C
    MTD56 （ TSSOP ）封装：
    DS90CF386MTD
    MTD48 （ TSSOP ）封装：
    DS90CF366MTD
    套餐降额：
    DS90CF386MTD
    12.4毫瓦/ C以上+ 25℃
    1.89 W
    1.61 W
    -0.3V至+ 4V
    -0.3V到（V
    CC
    + 0.3V)
    -0.3V到（V
    CC
    + 0.3V)
    +150˚C
    -65 ° C至+ 150°C
    +260˚C
    +220˚C
    2.0 W
    10.2毫瓦/ C以上+ 25℃
    ＆ GT ;
    7千伏
    ＆ GT ;
    700V
    推荐工作
    条件
    最小值标称值最大值单位
    电源电压（V
    CC
    )
    经营自由的空气
    温度（T
    A
    )
    接收器输入范围
    电源噪声电压（V
    CC
    )
    −10 +25 +70
    0
    2.4
    100
    ˚C
    V
    mV
    PP
    3.0
    3.3
    3.6
    V
    电气特性
    在推荐，除非另有规定工作电源和温度范围内。
    符号
    V
    IH
    V
    IL
    V
    OH
    V
    OL
    V
    CL
    I
    IN
    I
    OS
    V
    TH
    V
    TL
    I
    IN
    参数
    高电平输入电压
    低电平输入电压
    高电平输出电压
    低电平输出电压
    输入钳位电压
    输入电流
    输出短路电流
    差分输入高阈值
    差分输入阈值低
    输入电流
    V
    V
    接收器电源电流
    ICCRW
    接收器电源电流
    最坏的情况下
    C
    L
    = 8 PF，
    最坏的情况下格局，
    DS90CF386
    （图1，图
    4)
    ICCRW
    接收器电源电流
    最坏的情况下
    C
    L
    = 8 PF，
    最坏的情况下格局，
    DS90CF366
    （图1，图
    4)
    ICCRG
    接收器电源电流，
    16灰阶
    C
    L
    = 8 PF，
    16灰度模式，
    F = 32.5兆赫
    F = 37.5兆赫
    F = 65 MHz的
    F = 85 MHz的
    F = 32.5兆赫
    F = 37.5兆赫
    F = 65 MHz的
    F = 85 MHz的
    F = 32.5兆赫
    F = 37.5兆赫
    49
    53
    81
    96
    49
    53
    78
    90
    28
    30
    70
    75
    114
    135
    60
    65
    100
    115
    45
    47
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    IN
    IN
    条件
    民
    2.0
    GND
    典型值
    最大
    VCC
    0.8
    单位
    V
    V
    V
    V
    V
    uA
    uA
    mA
    mV
    mV
    µA
    µA
    CMOS / TTL DC规格
    I
    OH
    = - 0.4毫安
    I
    OL
    = 2毫安
    I
    CL
    = -18毫安
    V
    IN
    = 0.4V ， 2.5V或V
    CC
    V
    IN
    = GND
    V
    OUT
    = 0V
    V
    = +1.2V
    2.7
    3.3
    0.06
    -0.79
    +1.8
    0.3
    -1.5
    +15
    -120
    +100
    -10
    0
    -60
    LVDS接收器DC规格
    CM
    −100
    = +2.4V, V
    CC
    = 3.6V
    = 0V, V
    CC
    = 3.6V
    ±
    10
    ±
    10
    www.national.com
    2

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