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    DS90CR215MTD 参数 Datasheet PDF下载

    DS90CR215MTD图片预览
    型号： DS90CR215MTD
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： + 3.3V上升沿数据选通LVDS 21位通道链接 - 66 MHz的 [+3.3V Rising Edge Data Strobe LVDS 21-Bit Channel Link - 66 MHz]
    分类和应用： 线路驱动器或接收器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 17 页 / 736 K
    品牌： NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号DS90CR215MTD的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DS90CR215MTD的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DS90CR215MTD的Datasheet PDF文件第4页浏览型号DS90CR215MTD的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DS90CR215MTD的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DS90CR215MTD的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DS90CR215MTD的Datasheet PDF文件第8页浏览型号DS90CR215MTD的Datasheet PDF文件第9页  
    DS90CR215/DS90CR216
    绝对最大额定值
    （注1 ）
    如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
    请向美国国家半导体销售办事处/
    经销商咨询具体可用性和规格。
    电源电压（V
    CC
    )
    CMOS / TTL输入电压
    CMOS / TTL输出电压
    LVDS接收器输入电压
    LVDS驱动器输出电压
    LVDS输出短路
    电路持续时间
    结温
    存储温度范围
    焊接温度
    （焊接， 4秒）
    最大封装功耗
    @
    +25˚C
    MTD48 （ TSSOP ）封装：
    +260˚C
    连续
    +150˚C
    -65 ° C至+ 150°C
    -0.3V至+ 4V
    -0.3V到（V
    CC
    + 0.3V)
    -0.3V到（V
    CC
    + 0.3V)
    -0.3V到（V
    CC
    + 0.3V)
    -0.3V到（V
    CC
    + 0.3V)
    DS90CR215
    DS90CR216
    套餐降额
    DS90CR215
    DS90CR216
    ESD额定值
    （ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
    1.98 W
    1.89 W
    16毫瓦/ C以上+ 25℃
    15毫瓦/ C以上+ 25℃
    ＆ GT ;
    7千伏
    推荐工作
    条件
    最小值标称值最大值单位
    电源电压（V
    CC
    )
    经营自由的空气
    温度（T
    A
    )
    接收器输入范围
    电源噪声电压（V
    CC
    )
    −40 +25 +85
    0
    2.4
    ˚C
    V
    3.0
    3.3
    3.6
    V
    100毫伏
    PP
    电气特性
    在推荐工作电源和温度范围内，除非另有说明
    符号
    V
    IH
    V
    IL
    V
    OH
    V
    OL
    V
    CL
    I
    IN
    I
    OS
    V
    OD
    ∆V
    OD
    V
    OS
    ∆V
    OS
    I
    OS
    I
    OZ
    参数
    高电平输入电压
    低电平输入电压
    高电平输出电压
    低电平输出电压
    输入钳位电压
    输入电流
    输出短路电流
    差分输出电压
    改变V
    OD
    间
    免费提供输出国家
    失调电压（注4 ）
    改变V
    OS
    间
    免费提供输出国家
    输出短路电流
    产量
    三州
    ®
    当前
    V
    R
    V
    LVDS接收器DC规格
    V
    TH
    V
    TL
    I
    IN
    差分输入高阈值
    差分输入阈值低
    输入电流
    V
    V
    IN
    IN
    OUT
    L
    条件
    民
    2.0
    GND
    典型值
    最大
    V
    CC
    0.8
    单位
    V
    V
    V
    V
    V
    µA
    mA
    mV
    mV
    V
    mV
    mA
    µA
    CMOS / TTL DC规格
    I
    I
    I
    OH
    OL
    CL
    IN
    = -0.4毫安
    = 2毫安
    = -18毫安
    = V
    CC
    ，GND
    = 0V
    2.7
    3.3
    0.06
    −0.79
    0.3
    −1.5
    V
    V
    R
    ±
    5.1
    -60
    250
    290
    ±
    10
    −120
    450
    35
    2.5V或0.4V
    OUT
    LVDS驱动器DC规格
    L
    = 100Ω
    1.125
    1.25
    1.375
    35
    = 0V,
    −3.5
    −5
    = 100Ω
    PWR DWN = 0V ，
    OUT
    ±
    1
    ±
    10
    = 0V或V
    CC
    +100
    −100
    mV
    mV
    µA
    µA
    V
    CM
    = +1.2V
    = +2.4V, V
    CC
    = 3.6V
    = 0V, V
    CC
    = 3.6V
    ±
    10
    ±
    10
    3
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